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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利基于单层反蛋白石结构二氧化锡/碲硒合金薄膜异质结的光电传感器件及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529662B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511014948.7，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权基于单层反蛋白石结构二氧化锡/碲硒合金薄膜异质结的光电传感器件及其制备方法和应用是由郝国林;陆雪媚;周洁;郝世杰;舒婷;彭奥林;周美琪;何隆基设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于单层反蛋白石结构二氧化锡/碲硒合金薄膜异质结的光电传感器件及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开基于单层反蛋白石结构二氧化锡碲硒合金薄膜异质结的光电传感器件及其制备方法和应用，属于多功能光电传感器应用领域。该器件集光探测、光通信、生理监测等多功能于一体。单层反蛋白石结构二氧化锡作为电子传输层用于碲硒合金薄膜光电传感器中，增强器件光捕获能力。该器件在无需外加电源条件下，实现了从紫外光到近红外光的宽探测光谱响应范围。在0V偏置下，暗电流密度低至0.3nAcm‑2，在850nm光照射下具有3×104的高电流开关比以及超过91dB的线性动态范围，可用作光通信接收器或生理监测器。本申请可以解决相关技术中传统硅基PIN结对紫外探测响应低、功耗高问题，解决多功能集成器件的设计难题。

本发明授权基于单层反蛋白石结构二氧化锡/碲硒合金薄膜异质结的光电传感器件及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于单层反蛋白石结构二氧化锡碲硒合金薄膜异质结的光电传感器件，其特征在于，所述光电传感器件自下而上依次包括透明导电基底、单层反蛋白石结构二氧化锡电子传输层、碲硒合金薄膜光吸收层、金属电极； 所述单层反蛋白石结构二氧化锡的介孔直径为200-800nm；所述碲硒合金薄膜的厚度为500-1500nm； 所述光电传感器件在0V偏压下实现254-1050nm光谱响应，暗电流密度≤0.3nAcm²，线性动态范围≥91dB； 所述的光电传感器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.在透明导电基底上旋涂二氧化锡胶体，退火形成致密二氧化锡层； S2.在去离子水面形成单层聚苯乙烯膜，覆盖于二氧化锡层表面； S3.旋涂二氧化锡量子点溶液，退火后去除聚苯乙烯球，形成反蛋白石结构； S4.将基底垂直放置于管式炉中，通过低压化学气相沉积生长碲硒合金薄膜； S5.在碲硒合金薄膜上蒸镀金属电极。

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