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龙图腾网获悉西湖大学申请的专利一种驱动阵列的制备方法、驱动阵列和电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120547936B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511038021.7，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权一种驱动阵列的制备方法、驱动阵列和电子器件是由孙新祚;宋春燕;李西军设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种驱动阵列的制备方法、驱动阵列和电子器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种驱动阵列的制备方法、驱动阵列和电子器件。本申请提供的驱动阵列的制备方法，包括：形成金属线结构；在金属线结构中的第一介电材料层上形成第一栅极线阵列，并在第一栅极线阵列上覆盖第二介电材料层；在第一金属线阵列中的每根金属线在第二介电材料层的投影区域和第一栅极线阵列中的每根栅极线在第二介电材料层上的投影区域的重叠区域形成第一孔；向下刻蚀第一孔，刻蚀过程停止于金属线的上表面，形成垂直于金属线的第一通孔；在第一通孔内沉积第三介电材料层，并垂直向下刻蚀掉第一通孔底部的第三介电材料层，以在第一通孔内形成侧壁；在第一通孔内沉积沟道材料。本申请提供的驱动阵列的制备方法，可以制备结构微缩的驱动阵列。

本发明授权一种驱动阵列的制备方法、驱动阵列和电子器件在权利要求书中公布了：1.一种驱动阵列的制备方法，其特征在于，所述驱动阵列的制备方法，包括： 形成金属线结构；其中，所述金属线结构包括第一金属线阵列和覆盖所述第一金属线阵列的第一介电材料层构成； 在所述第一介电材料层上形成第一栅极线阵列，并在所述第一栅极线阵列上覆盖第二介电材料层；其中，所述第一栅极线阵列和所述第一金属线阵列成指定角度，所述指定角度大于0度、且小于或者等于90度； 通过曝光技术在所述第二介电材料层的第一指定位置形成第一孔；其中，所述第一指定位置为所述第一金属线阵列中的每根金属线在所述第二介电材料层的投影区域和所述第一栅极线阵列中的每根栅极线在所述第二介电材料层上的投影区域的重叠区域； 通过刻蚀技术向下刻蚀所述第一孔，刻蚀过程停止于所述金属线的上表面，形成垂直于所述金属线的第一通孔；其中，所述第一栅极线阵列中的栅极线包绕所述第一通孔； 在所述第一通孔内沉积第三介电材料层，并垂直向下刻蚀掉所述第一通孔底部的第三介电材料层，以在所述第一通孔内形成侧壁； 在所述第一通孔内沉积沟道材料，并对沉积的沟道材料进行平坦化。

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