成都纤声科技有限公司张嵩松获国家专利权
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龙图腾网获悉成都纤声科技有限公司申请的专利一种半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120553631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511030251.9，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种半导体器件是由张嵩松;王磊设计研发完成，并于2025-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括硅基底，所述硅基底形成有空腔，所述硅基底和所述空腔上层叠有结构层，所述结构层对应所述空腔形成薄膜区，所述结构层对应所述薄膜区之外的所述硅基底形成打线区；所述打线区包括第一打线区和第二打线区，在俯视方向上，所述第一打线区通过所述薄膜区朝向所述半导体器件的中心内缩形成，以使所述第一打线区环绕在部分所述薄膜区之外，所述第二打线区环绕在所述薄膜区和所述第一打线区之外。通过对薄膜区振动单元切割的优化，改变原有硅基区域的分布，进而缩小了器件的整体尺寸，以满足微型化的发展需求。
本发明授权一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底形成有空腔，所述硅基底和所述空腔上层叠有结构层，所述结构层对应所述空腔形成薄膜区，所述结构层对应所述薄膜区之外的所述硅基底形成打线区； 所述打线区包括第一打线区和第二打线区，在俯视方向上，所述第一打线区通过所述薄膜区朝向所述半导体器件的中心内缩形成，以使所述第一打线区环绕在部分所述薄膜区之外，所述第二打线区环绕在所述薄膜区和所述第一打线区之外；所述第一打线区内用于设置打线的焊点位；所述薄膜区通过狭缝分割，使得形成的悬臂梁在工作振动的时候不与下方的所述硅基发生干涉； 所述半导体器件在所述俯视方向的投影为方形，所述第一打线区至少有一个，至少一个所述第一打线区设置在所述薄膜区的边角处，使得所述第一打线区和所述薄膜区共同形成方形图形，所述第二打线区形成环方形图形环绕于所述薄膜区和所述第一打线区之外； 所述狭缝沿所述方形图形的对角设置，并延伸至所述第一打线区和所述薄膜区共同的边线上。
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