湘江实验室丁玎获国家专利权
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龙图腾网获悉湘江实验室申请的专利光忆阻器及基于光忆阻器的智能监控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120569119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511063128.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权光忆阻器及基于光忆阻器的智能监控方法是由丁玎;石小欢;曾耀江;谭平;曹旭;芦耀庭设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本光忆阻器及基于光忆阻器的智能监控方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种光忆阻器及基于光忆阻器的智能监控方法，该方法通过在不同监控区域搭建若干边缘节点，并在每个边缘节点部署多模态传感器阵列、光忆阻器阵列、GCN模型以及分类器；通过多模态传感器阵列采集多模态数据，并建立图结构；将图结构输入至GCN模型进行传播，并在传播过程中，利用光忆阻器阵列进行加速计算，将GCN模型的输出输入分类器，以检测当前边缘节点监控区域的异常行为，进行本地物理警报；最后云端同步，是否通过云端向移动终端发出警示信息。本发明基于光忆阻器的智能监控方法通过基于光忆阻器的神经形态计算架构可将GCN模型直接嵌入边缘设备，利用光忆阻器的模拟计算特性，在降低能耗的同时实现实时推理。
本发明授权光忆阻器及基于光忆阻器的智能监控方法在权利要求书中公布了：1.一种光忆阻器，其特征在于，包括衬底、波导层、隔离层以及活性层，衬底、波导层和隔离层依次层叠设置，并在波导层和隔离层之间设置有等离子纳米天线层，活性层采用的是相变材料，活性层坐落于隔离层上，并在隔离层两侧设置有电极；其中，隔离层采用的是氮化硅、氮化硼、二氧化硅或氮化铝，活性层采用Ge2Sb2Te，等离子纳米天线层采用金纳米棒+VO2相变材料复合阵列。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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