买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种高熵软磁氮化薄膜磁芯的薄膜电感器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120581362B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511072073.6，技术领域涉及：H01F41/00；该发明授权一种高熵软磁氮化薄膜磁芯的薄膜电感器制备方法是由王方方;高明;张虎;徐惠彬设计研发完成，并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高熵软磁氮化薄膜磁芯的薄膜电感器制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于薄膜电感器与磁控溅射技术领域，具体是涉及一种高熵软磁氮化薄膜磁芯的薄膜电感器制备方法，包括：按照高熵合金成分含量进行合金料的配比，完成熔炼并加工得到高熵合金靶材；准备并清洗基片后，在基片上采用磁控溅射方式沉积高熵合金软磁薄膜；制备SiO2隔离层；采用光刻和电镀工艺制备导线线圈层，导电金属为Cu；光刻套刻，完成电感器制备，本发明高熵合金薄膜的电阻率更高，同时保持了饱和磁化强度，起始磁导率和较小的矫顽力；通过引入高性能高熵软磁薄膜磁芯增强薄膜电感性能，增大器件的电感值；可以满足高频薄膜电感器件设计需求；与半导体工艺流程相兼容性高，有利于应用于大规模集成电路，提高集成化程度。

本发明授权一种高熵软磁氮化薄膜磁芯的薄膜电感器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高熵软磁氮化薄膜磁芯的薄膜电感器制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：按照高熵合金成分含量进行合金料的配比，完成熔炼并加工得到高熵合金靶材，高熵合金各成分元素的含量预设范围为： 1Zr：10.5~14.2at%，Fe：21.7~50.5at%，Co：16.4~53.4at%，Ni：12.3~22.1at%；或 2B：7.5~12.1at%，Fe：20.3~54.5at%，Co：13.5~58.5at%，Ni：11.2~22.5at%；或 3B：4.6~8.8at%，Zr：2.7~6.5at%，Fe：20.3~54.5at%，Co：13.5~58.5at%，Ni：11.2~22.5at%； 并对高熵合金靶材进行渗氮处理； 步骤2：采用磁控溅射在基片上沉积高熵合金软磁氮化薄膜； 步骤3：制备SiO2隔离层； 步骤4：采用光刻和电镀工艺制备导线层，导电金属为Cu； 步骤5：光刻套刻，完成薄膜电感器制备。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京航空航天大学，其通讯地址为：100191 北京市海淀区学院路37号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。