旭矽半导体(上海)有限公司朱洋洋获国家专利权
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龙图腾网获悉旭矽半导体(上海)有限公司申请的专利一种SiC MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120583704B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511074849.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种SiC MOSFET器件及其制备方法是由朱洋洋;张朝阳;陈桥梁;徐西昌设计研发完成，并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiCMOSFET器件及其制备方法，应用于半导体技术领域，该器件中外延硅片上半部分中通过注入自下而上形成有P体区和N型有源区；N型有源区的上表面向下刻蚀有源极沟槽，源极沟槽的下表面伸入外延硅片中未被注入的区域；源极填充于源极沟槽中；源极上表面的一侧向下刻蚀有栅极沟槽；源极上表面的另一侧向下刻蚀有连接孔；栅氧化层覆盖栅极沟槽的表面；栅氧化层呈沟槽状；栅极填充于栅氧化层的沟槽中；氧化层覆盖N型有源区、栅氧化层、栅极以及源极除连接孔以外的上表面区域；金属层覆盖氧化层的上表面和连接孔，从而提供了一种可靠性高、导通电阻低且工艺简单的SiCMOSFET器件。
本发明授权一种SiC MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET器件，其特征在于，所述SiCMOSFET器件包括： 外延硅片；所述外延硅片上半部分中通过注入自下而上形成有P体区和N型有源区；所述N型有源区的上表面向下刻蚀有源极沟槽，所述源极沟槽的下表面伸入所述外延硅片中未被注入的区域；所述外延硅片为N-型的外延SiC片； 源极；所述源极填充于所述源极沟槽中；所述源极上表面的一侧向下刻蚀有栅极沟槽；所述源极上表面的另一侧向下刻蚀有连接孔；所述源极沟槽和所述栅极沟槽构成双沟槽结构；所述源极为N型掺杂多晶硅； 栅氧化层；所述栅氧化层覆盖所述栅极沟槽的表面；所述栅氧化层呈沟槽状； 栅极；所述栅极填充于所述栅氧化层的沟槽中； 氧化层；所述氧化层覆盖所述N型有源区、所述栅氧化层、所述栅极以及所述源极除所述连接孔以外的上表面区域； 金属层；所述金属层覆盖所述氧化层的上表面和所述连接孔。
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