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龙图腾网获悉华辰芯光(无锡)半导体有限公司申请的专利一种可寻址硅基集成纳米激光器的制备方法及激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120601247B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511103531.8，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权一种可寻址硅基集成纳米激光器的制备方法及激光器是由向磊;魏明设计研发完成，并于2025-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可寻址硅基集成纳米激光器的制备方法及激光器在说明书摘要公布了：本申请涉及激光器的技术领域，尤其是涉及一种可寻址硅基集成纳米激光器的制备方法及激光器，包括：在硅晶圆衬底上依次生长出过渡层和外延层；在P面接触层上通过光刻和显影获得若干沟槽，在沟槽内生长出金属层，获得P面电极；P面电极与P面电极之间留有间隙，沿间隙向下刻蚀外延层，过刻蚀至N面接触层，形成N面电极通孔；在N面电极通孔内先沉积TiN，再沉积金属钨，并填满N面电极通孔。通过硅基上生长激光器外延结构，结合硅基集成电路65nm节点的工艺技术路线，给出一条全新的硅基纳米激光器工艺路线，展现了激光器与CMOS前后端工艺兼容性。

本发明授权一种可寻址硅基集成纳米激光器的制备方法及激光器在权利要求书中公布了：1.一种可寻址硅基集成纳米激光器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： S1、在硅晶圆衬底1上依次生长出过渡层2和外延层3；外延层3包括位于最下方的N面接触层4和位于最上方的P面接触层5，以及位于N面接触层4和P面接触层5中间的若干功能层6；过渡层2的生长过程为： 先在硅上生长1um厚的GaAs，减少硅和后续激光器外延结构的晶格失配；然后再生长10个周期的9.3nmIn0.15GaAs12nmGaAs应变超晶格层，防止下面的位错传播到上方的外延结构；再生长0.35um的GaAs层，过滤位错； S2、在P面接触层5上通过光刻和显影获得若干沟槽7，在沟槽7内生长出金属层，获得P面电极8； S3、P面电极8与P面电极8之间留有间隙，沿间隙向下刻蚀外延层3，过刻蚀至N面接触层4，形成N面电极通孔9； S4、在N面电极通孔9内先沉积TiN，再沉积金属钨，并填满N面电极通孔9，从而实现N面电极引出； S5、外延层3整面沉积一层SiO2的掩膜层10，将图案转移至掩膜层10上，并通过掩膜层10将外延结构和过渡层2以及硅晶圆衬底1的部分硅刻蚀掉，从而将不同激光器单元进行隔离； S6、在掩膜层10上方沉积一层SiCOH的介质层11，并在介质层11上方再沉积一层SiN，进行光刻和刻蚀，形成与P面电极8以及N面电极正对的连接通孔12，露出P面电极8和N面电极； S7、在连接通孔12内用Cu进行电镀，填满连接通孔12。

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