南京大学王军转获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种双层V型纳米线结构、双栅纳米线单电子器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120603306B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511086657.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种双层V型纳米线结构、双栅纳米线单电子器件及其制备方法是由王军转;吴磊;余林蔚设计研发完成，并于2025-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双层V型纳米线结构、双栅纳米线单电子器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子制造技术领域。本发明公开了一种双层V型纳米线结构，包括设置于衬底上的基底层，还包括空间上错位生长于所述基底层的上层纳米线和下层纳米线，所述上层纳米线、下层纳米线为折点水平投影重合且位于同一铅垂线上的折线型纳米线，所述上层的折线型纳米线在折点处断开存在间隙。本发明利用单次IPSLS生长出两根空间上相互错位的纳米线，其中下层连续的硅纳米线作为导电沟道而上层产生间隙的纳米线作为可调控耗尽栅，极大的简化了双层V型纳米线结构制备工艺流程，可以集成多量子岛从而构建紧凑型量子比特链。
本发明授权一种双层V型纳米线结构、双栅纳米线单电子器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双层V型纳米线结构，包括设置于衬底上的基底层，其特征在于，还包括空间上错位生长于所述基底层的上层纳米线和下层纳米线，所述上层纳米线、下层纳米线为折线型纳米线，所述上层纳米线、下层纳米线的折点水平投影重合且位于同一铅垂线上，所述上层的折线型纳米线在折点处断开存在间隙。
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