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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利用于高频的高熵合金及氮化物多层软磁薄膜及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120608257B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511121450.0，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权用于高频的高熵合金及氮化物多层软磁薄膜及制备方法是由徐惠彬;王方方;高明;张虎设计研发完成，并于2025-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于高频的高熵合金及氮化物多层软磁薄膜及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于软磁高熵合金材料与磁控溅射技术领域，具体涉及一种用于高频的高熵合金及氮化物多层软磁薄膜及制备方法，高熵合金软磁膜层包括Zr和或B、Fe、Co、Ni元素；高熵合金软磁氮化膜层包括Zr和或B、Fe、Co、Ni、N元素，N元素为在磁控溅射过程中引入一定分压的氮气并使氮原子沉积到高熵合金软磁氮化膜层中，交替使用纯Ar和氩氮混合气体，在基底表面溅射交替溅射高熵合金软磁膜层和高熵合金软磁氮化膜层得到多层软磁薄膜，结合了高熵合金氮化物软磁薄膜高电阻率，低矫顽力与高熵合金软磁薄膜高饱和磁化强度的特点，具有更高的饱和磁化强度和电阻率，适合高频应用。

本发明授权用于高频的高熵合金及氮化物多层软磁薄膜及制备方法在权利要求书中公布了：1.用于高频的高熵合金及氮化物多层软磁薄膜制备方法，其特征在于，所述用于高频的高熵合金及氮化物多层软磁薄膜包括交替排布的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层为高熵合金软磁膜层；所述第二膜层为高熵合金软磁氮化膜层；所述第一膜层的组分包括Fe、Co、Ni，以及Zr和或B元素；所述第二膜层的组分包括Fe、Co、Ni、N，以及Zr和或B元素； 所述第二膜层中，以除N元素之外的其他元素的原子百分比含量为100%计，除N元素之外的其他元素的原子百分比含量与第一膜层相同；所述第二膜层中，N元素为在磁控溅射过程中引入一定分压的氮气并使氮原子沉积到高熵合金软磁氮化膜层中； 高熵合金的最优组分通过高通量筛选成分设计方法确定，包括： 多成分梯度薄膜溅射：利用磁控溅射工艺，控制腔室气氛条件，在基底表面溅射镀膜，将多种材料沉积在基底上，镀膜完成得到多个具有不同材料组分含量的均匀薄膜样品； 首先，确定的各组成元素含量范围为： 1由Zr、Fe、Co、Ni元素组成，各元素的含量范围为：Zr：10.5~14.2at%，Fe：21.7~50.5at%，Co：16.4~53.4at%，Ni：12.3~22.1at%；或 2由B、Fe、Co、Ni元素组成，各元素的含量范围为：B：7.5~12.1at%，Fe：20.3~54.5at%，Co：13.5~58.5at%，Ni：11.2~22.5at%；或 3由B、Zr、Fe、Co、Ni元素组成，各元素的含量范围为：B：4.6~8.8at%，Zr：2.7~6.5at%，Fe：20.3~54.5at%，Co：13.5~58.5at%，Ni：11.2~22.5at%； 采用高纯Fe、高纯Co、高纯Ni、高纯M靶材，并均匀放置于腔室的四个位置，其中M靶材为Zr靶材，或B靶材，或Zr和B的混合靶材； 依据各元素在不同溅射功率下的脱附速度和各成分元素的含量范围，确定各靶材的溅射功率和薄膜样品摆放参数，使多个薄膜样品的成分含量符合各成分元素的含量范围；选择各靶材的溅射功率具体为：确定Fe靶材的溅射功率及该功率下Fe的脱附速度，随后针对其他成分选择对应功率，使其在对应溅射功率下的脱附速度符合： 式中：为成分在所选择的对应功率下的脱附速度，为Fe成分在基准溅射功率下的脱附速度，为成分的最小原子百分比含量，为成分的最大原子百分比含量，为Fe的最小原子百分比含量，为Fe的最大原子百分比含量； 对得到的多个薄膜样品进行测试，根据所需的性能要求，筛选得到高熵合金靶材的最优组分。

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