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龙图腾网获悉成都瓴科微电子有限责任公司申请的专利一种CAN过流检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120629697B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511120122.9，技术领域涉及：G01R19/165；该发明授权一种CAN过流检测电路是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CAN过流检测电路在说明书摘要公布了：本发明涉及通信电路技术领域，公开了一种CAN过流检测电路，包括驱动模块、MOS管M1和MOS管M2，MOS管M1的栅极接入DRVH电平，控制MOS管M1的导通或截止，MOS管M1的漏极与二极管D1的一端连接，二极管D1的另一端输出CANH传输信号，MOS管M2的源极接地，MOS管M2的栅极接入DRVL电平，MOS管M2的漏极与二极管D2的一端连接，二极管D2的另一端输出CANL传输信号，MOS管M2的衬底与衬底漏电流检测模块的输入端连接，衬底漏电流检测模块的输出端反馈到驱动模块中，通过衬底漏电流检测模块，利用MOS管衬底漏电流与主电流的寄生关联，间接监测CAN电路中的MOS管M1和MOS管M2的驱动电流，经采样电阻转化电压、运放放大、ADC转换及阈值判断，精准识别过流状态。

本发明授权一种CAN过流检测电路在权利要求书中公布了：1.一种CAN过流检测电路，其特征在于，包括驱动模块、MOS管M1和MOS管M2，所述驱动模块接收整形后的信号后，为MOS管M1和MOS管M2输送DRVH电平、DRVL电平； 所述MOS管M1的源极接芯片工作电源VCC，为MOS管M1提供驱动电压，所述MOS管M1的栅极接入DRVH电平，控制MOS管M1的导通或截止，所述MOS管M1的漏极与二极管D1的一端连接，所述二极管D1的另一端输出CANH传输信号； 所述MOS管M2的源极接地，所述MOS管M2的栅极接入DRVL电平，所述MOS管M2的漏极与二极管D2的一端连接，所述二极管D2的另一端输出CANL传输信号，所述MOS管M2的衬底与源极之间串联有电阻R1，且MOS管M2的衬底与衬底漏电流检测模块的输入端连接，所述衬底漏电流检测模块的输出端反馈到驱动模块中； 所述衬底漏电流检测模块包括放大器OPA0、ADC模块和判断模块，所述放大器OPA0的同相输入端与MOS管M1的衬底连接，所述放大器OPA0的输出端与ADC模块的输入端连接，所述ADC模块的输出端与判断模块的输入端连接； 所述放大器OPA0的输出端与电阻R2的一端连接，所述电阻R2与电阻R3串联，放大器OPA0的反相输入端与电阻R2的另一端连接； 所述MOS管M2的衬底通过电阻R1接地，当所述MOS管M2的衬底有漏电流I_sub时，在所述电阻R1上产生电压降Vsub信号，所述电压降Vsub信号经放大器OPAO放大后输出模拟电压V1，所述模拟电压V1被ADC模块转换为数字信号的码值，数字信号的码值输入给判断模块，经过所述判断模块对被ADC模块转换的码值与预设码值进行比较，输出判定结果S0给驱动模块； 若没有过流，S0=0； 若输出过流，S0=1； 所述驱动模块根据S0的检测结果，调节MOS管M2的通断。

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