江西兆驰半导体有限公司胡加辉获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120640848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511128164.7，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法是由胡加辉;郑文杰;高虹;刘春杨;金从龙设计研发完成，并于2025-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底，及依次层叠在衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、电子疏通层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；电子疏通层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，第一子层为Si3N4层，第二子层包括周期性交替层叠的AlGaN层、第一InGaN层和第一GaN层，第三子层包括周期性交替层叠的第二GaN层和第二InGaN层，第四子层包括周期性交替层叠的AlInGaN层、第三InGaN层和第三GaN层。实施本发明，能够在提高电子扩展性的同时，避免过多的电子进入多量子阱层中发生电子溢流。
本发明授权发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、电子疏通层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层； 所述电子疏通层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层为Si3N4层，所述第二子层包括周期性交替层叠的AlGaN层、第一InGaN层和第一GaN层，所述第三子层包括周期性交替层叠的第二GaN层和第二InGaN层，所述第四子层包括周期性交替层叠的AlInGaN层、第三InGaN层和第三GaN层； 所述Si3N4层的厚度为1nm~10nm； 所述第二子层中，所述第一GaN层为Si掺杂的GaN层，随交替层叠周期数的增加，所述AlGaN层的Al组分占比递增，所述第一GaN层的Si掺杂浓度递增。
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