浙江大学盛况获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种受激光调控的功率器件控制系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120640967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511118820.5，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种受激光调控的功率器件控制系统和方法是由盛况;孔令旭;任娜设计研发完成，并于2025-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种受激光调控的功率器件控制系统和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体控制技术领域中的一种受激光调控的功率器件控制系统和方法，包括：功率半导体器件；激光发射单元，用于根据功率半导体的温度数据或功率半导体器件的导通状态，向功率半导体器件的透光照射区发射激光，其中，激光发射单元所发射的激光透过透光照射区后照射到功率半导体器件的漂移区，并产生电子‑空穴对；激光控制单元，用于控制激光发射单元的启停以及激光发射功率，其中，激光发射单元所发射的激光具有用于激发漂移区内载流子的光子能量，光子能量高于功率半导体器件中漂移区的材料带隙或高于漂移区材料的缺陷态激发的能量，解决了现有技术无法实现根本性缓解导通电阻随温升增加而增加的问题。
本发明授权一种受激光调控的功率器件控制系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种受激光调控的功率器件控制系统，其特征在于，包括： 功率半导体器件； 激光发射单元，用于根据功率半导体的温度数据或功率半导体器件的导通状态，向功率半导体器件的透光照射区发射激光，在器件结温升高时主动激发电子和空穴的产生，补偿迁移率下降，防止热失控，其中，所述激光发射单元所发射的激光透过透光照射区后照射到功率半导体器件的漂移区，并产生电子-空穴对； 激光控制单元，用于控制激光发射单元的启停以及激光发射功率，其中，所述激光发射单元所发射的激光具有用于激发漂移区内载流子的光子能量，所述光子能量高于功率半导体器件中漂移区的材料带隙或高于漂移区材料的缺陷态激发的能量。
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