电子科技大学庹涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于混合维材料的复合MOSFET光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120692937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511137724.5，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权一种基于混合维材料的复合MOSFET光电探测器是由庹涛;韩嘉悦;魏来江;吴志明;王军设计研发完成，并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于混合维材料的复合MOSFET光电探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于混合维材料的复合MOSFET光电探测器，属于光电探测领域。该探测器顶端PN结中内建电场使得一种光生载流子被石墨烯收集，从而通过高k的六方氮化硼影响底端PN结的结区载流子，形成了由光驱动的MOSFET结构；PbSe量子点则拓展了器件的探测波长范围。底端PN结形成的内建电场使得光生载流子分离并产生本征响应；一维材料能够对偏振光进行探测，且横截面积较小，有效抑制暗电流。同时，通过顶部栅极能够对两个PN结进行控制，使得器件工作在MOSFET的放大区，对光响应进行线性放大。本发明有效避免了光门控的发生，实现偏振、宽波段、高灵敏度、高速探测器。
本发明授权一种基于混合维材料的复合MOSFET光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种基于混合维材料的复合MOSFET光电探测器，其特征在于，该光电探测器的结构包括：二氧化硅衬底、源极金属电极、漏极金属电极、MoSe2二维材料、PbSe纳米线一维材料、六方氮化硼、石墨烯、PbSe量子点、顶栅金属电极； 二氧化硅衬底上表面两侧分别设置源极金属电极和漏极金属电极，源极金属电极和漏极金属电极之间设置首层MoSe2二维材料，首层MoSe2二维材料不与源极金属电极和漏极金属电极接触，采用镂空隔离；源极金属电极上表面设置第二层MoSe2二维材料，并向内延伸与首层MoSe2二维材料连接，形成台阶状；首层MoSe2二维材料与漏极金属电极上表面设置PbSe纳米线一维材料，PbSe纳米线一维材料都为条状，间隔设置；PbSe纳米线一维材料的对应于首层MoSe2二维材料的上表面依次层叠：六方氮化硼、石墨烯、PbSe量子点、顶栅金属电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励