拓荆科技股份有限公司殷奇获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技股份有限公司申请的专利一种背面沉积的工艺腔室及半导体器件的背面沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223468446U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422630995.1，技术领域涉及：C23C16/44；该实用新型一种背面沉积的工艺腔室及半导体器件的背面沉积设备是由殷奇;谭宇琦设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背面沉积的工艺腔室及半导体器件的背面沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种背面沉积的工艺腔室，以及一种半导体器件的背面沉积设备。所述背面沉积的工艺腔室包括：加热板，位于所述工艺腔室的上部，用于加热晶圆的正面，其中，所述加热板上设有多个过气通孔；喷淋板，位于所述工艺腔室的下部，用于向所述晶圆的背面提供工艺气体，以配合所述加热板对所述晶圆进行背面薄膜沉积；以及第一进气口，位于所述加热板之上，用于向所述加热板的上方提供清洁气体，其中，所述清洁气体经由所述加热板上的所述多个过气通孔，均匀地流动至所述加热板与所述喷淋板之间中心区域，以清洁所述中心区域。
本实用新型一种背面沉积的工艺腔室及半导体器件的背面沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种背面沉积的工艺腔室，其特征在于，包括： 加热板，位于所述工艺腔室的上部，用于加热晶圆的正面，其中，所述加热板上设有多个过气通孔； 喷淋板，位于所述工艺腔室的下部，用于向所述晶圆的背面提供工艺气体，以配合所述加热板对所述晶圆进行背面薄膜沉积；以及 第一进气口，位于所述加热板之上，用于向所述加热板的上方提供清洁气体，其中，所述清洁气体经由所述加热板上的所述多个过气通孔，均匀地流动至所述加热板与所述喷淋板之间中心区域，以清洁所述中心区域。
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