上海新微技术研发中心有限公司祝智军获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利一种基于厚硅平台的双脊形端面耦合器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223471162U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422363727.8，技术领域涉及：G02B6/122；该实用新型一种基于厚硅平台的双脊形端面耦合器是由祝智军;汪巍;蔡艳设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于厚硅平台的双脊形端面耦合器在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种基于厚硅平台的双脊形端面耦合器，包括衬底和耦合波导结构；所述衬底包括底硅层和埋氧层，所述埋氧层上设置有耦合波导结构；所述耦合波导结构包括相连接的双脊形倒锥波导和条形波导。通过采用厚硅平台，能够降低偏振相关损耗；采用双脊形倒锥波导，可以得到低损耗和高容差的统一；此外，本耦合器可基于SOI晶圆进行加工，且器件为单层硅设计，不需要额外的多层制造，能够节省光刻和刻蚀的成本，工艺简单且与CMOS平台兼容性好。
本实用新型一种基于厚硅平台的双脊形端面耦合器在权利要求书中公布了：1.一种基于厚硅平台的双脊形端面耦合器，其特征在于，包括衬底和耦合波导结构；所述衬底包括底硅层和埋氧层，所述埋氧层上设置有耦合波导结构； 所述耦合波导结构包括相连接的双脊形倒锥波导和条形波导； 所述双脊形倒锥波导包括自下而上设置的双脊形倒锥波导平板层和双脊形倒锥波导脊形层，所述条形波导包括自下而上设置的条形波导平板层和条形波导脊形层； 还包括包覆层，所述包覆层覆盖所述耦合波导结构，所述包覆层为二氧化硅层。
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