英特尔公司F.华获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利具有通过使用自组装单分子膜进行后期键合而形成的部件的电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108695163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810167874.4，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权具有通过使用自组装单分子膜进行后期键合而形成的部件的电子器件是由F.华;J.斯万;H.布劳尼施;T.卡姆加英;A.埃尔舍比你;S.奥斯特设计研发完成，并于2018-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有通过使用自组装单分子膜进行后期键合而形成的部件的电子器件在说明书摘要公布了：本发明公开了具有通过使用自组装单分子膜进行后期键合而形成的部件的电子器件。实施例包括器件和方法，包括一种用于处理基底的方法。该方法包括：提供包括第一部分和第二部分的基底，该第一部分包括特征，该特征包括导电区，该第二部分包括介电表面区。该方法还包括执行自组装单分子膜SAM辅助构造电镀以形成包括在介电表面区上的金属的结构，该特征是使用不同于用来形成该结构的SAM辅助构造电镀的工艺形成的，并且该结构是在该特征之后形成的。描述并要求保护了其他实施例。
本发明授权具有通过使用自组装单分子膜进行后期键合而形成的部件的电子器件在权利要求书中公布了：1.一种用于处理基底的方法，包括： 提供包括第一部分和第二部分的基底，该第一部分包括特征，该特征包括导电区，该第二部分包括介电表面区； 执行自组装单分子膜SAM辅助构造以形成包括在介电表面区上的金属的结构； 该特征是使用不同于用来形成该结构的SAM辅助构造的工艺形成的；并且 该结构是在该特征之后形成的， 其中该特征包括天线，并且该结构能够用于修改该天线的频率或带宽。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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