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龙图腾网获悉嘉兴奥罗拉电子科技有限公司申请的专利功率半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111785784B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010697369.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权功率半导体器件及其形成方法是由晋虎;万欣设计研发完成，并于2020-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种功率半导体器件及其形成方法，所述功率半导体器件的形成方法包括：提供第一类型掺杂的衬底；在所述衬底表面形成具有第一开口的第一图形化掩膜层；沿所述第一开口对所述衬底进行第一离子注入及扩散处理，形成第二类型掺杂的体区；在所述第一开口内形成第二图形化掩膜层，所述第二图形化掩膜层与两侧的第一图形化掩膜层之间具有第二开口；沿所述第二开口对所述衬底进行第二离子注入及扩散处理，形成位于所述体区内第一类型掺杂区。上述方法形成的功率半导体器件的阈值电压一致性和均匀性更好。

本发明授权功率半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供第一类型掺杂的衬底，所述衬底包括外围区域和核心区域； 在所述衬底表面形成具有第一开口的第一图形化掩膜层，所述第一图形化掩膜层采用硬掩膜层材料，所述第一图形化掩膜层的形成包括：形成同时覆盖所述外围区域和核心区域的场氧层；对所述场氧层进行图形化，在所述核心区域表面形成具有第一开口的第一硬掩膜层的同时，在所述外围区域上形成图形化的场氧层，用于作为外围区域的隔离结构； 采用自对准注入工艺，沿所述第一开口对所述衬底进行第一离子注入及扩散处理，形成第二类型掺杂的体区，且横向扩散的所述体区位于所述第一图形化掩膜层下方的尺寸均相同； 在所述第一开口内形成第二图形化掩膜层，所述第二图形化掩膜层与两侧的第一图形化掩膜层之间具有第二开口； 采用自对准注入工艺，沿所述第二开口对所述衬底进行第二离子注入及扩散处理，形成位于所述体区内第一类型掺杂区，且所述第一类型掺杂区位于所述第一图形化掩膜层下方的长度相同； 去除所述第二图形化掩膜层； 在所述体区内形成位于所述第一类型掺杂区之间的第二类型掺杂区，所述第二类型掺杂区与所述第一类型掺杂区之间形成PN结隔离结构，所述第二类型掺杂区的掺杂浓度大于所述第二类型掺杂的体区的掺杂浓度，以降低所述第二类型掺杂区与第一类型掺杂的衬底之间的第二类型掺杂区域的电阻； 去除所述核心区域表面的第一硬掩膜层后，对所述衬底表层采用第一类型掺杂离子进行耗尽注入，形成反型层； 形成所述反型层之后，在相邻体区之间的衬底上形成栅极结构，所述栅极结构与两侧的所述体区内的第一类型掺杂区存在交叠。

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