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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利一种低触发电压的ESD和浪涌协同保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112240946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011195073.2，技术领域涉及：G01R1/30；该发明授权一种低触发电压的ESD和浪涌协同保护电路是由杨兆年;毛盼;刘俊杰设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低触发电压的ESD和浪涌协同保护电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低触发电压的ESD和浪涌协同保护电路，由RC网络、反相器、电压检测器、共源放大器和箝位晶体管级联而成，其中，RC网络由电容C1与关闭的PMOS晶体管Mp2串联而成；反相器由PMOS晶体管Mp3与NMOS晶体管Mn3串联而成；电压检测器由电阻R0、NMOS晶体管Mn4和二极管串DS1串联而成；共源放大器由PMOS晶体管Mp4和电阻R1串联而成；箝位晶体管采用的是NMOS晶体管Mn5；RC网络、反相器、电压检测器、共源放大器以及箝位晶体管的一端共同与电源VDD连接，另一端共同接地。本发明的电路，可以实现ESD与浪涌事件的检测与放电功能，检测灵敏度高且静态漏电低。

本发明授权一种低触发电压的ESD和浪涌协同保护电路在权利要求书中公布了：1.一种低触发电压的ESD和浪涌协同保护电路，其特征在于：由RC网络、反相器、电压检测器、共源放大器和箝位晶体管级联而成， 其中，所述的RC网络的结构是：PMOS晶体管Mp2的栅极和源极都与VDD相连，PMOS晶体管Mp2的漏端与电容C1的上极板相连，电容C1的下极板与GND相连； 所述的反相器的结构是：PMOS晶体管Mp3的栅极连接RC网络的输出Vrc，PMOS晶体管Mp3的源极与VDD相连，PMOS晶体管Mp3的漏极与NMOS晶体管Mn3的漏极相连，NMOS晶体管Mn3的栅极和源极都与GND相连； 所述的电压检测器的结构是：电阻R0上端与VDD相连，电阻R0下端与NMOS晶体管Mn4的漏极相连，NMOS晶体管Mn4的栅极连接反相器的输出Va，NMOS晶体管Mn4的源极连接二极管串DS1的上端，二极管串DS1的下端与GND相连；其中的Va看做是Mn4的栅源电压与二极管串DS1的分压之和，通过选择二极管数目保证Mn4和二极管串DS1的阈值电压之和大于正常工作电压； 所述的共源放大器由PMOS晶体管Mp4和电阻R1串联而成，共源放大器的结构是：PMOS晶体管Mp4的源极与VDD相连，PMOS晶体管Mp4的栅极连接电压检测器的输出Vrd，PMOS晶体管Mp4的漏极与电阻R1的上端相连，电阻R1下端与GND相连； 所述的箝位晶体管采用箝位NMOS晶体管Mn5，箝位晶体管的结构是：箝位NMOS晶体管Mn5的漏极与VDD相连，箝位NMOS晶体管Mn5的栅极连接共源放大器输出Vg，箝位NMOS晶体管Mn5的源极连接GND； RC网络、反相器、电压检测器、共源放大器以及箝位晶体管的一端共同与电源VDD连接，另一端共同接地。

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