深圳市中光工业技术研究院丁新琪获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市中光工业技术研究院申请的专利用于背面光刻工艺的对准方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112838072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911154536.8,技术领域涉及:H01L23/544;该发明授权用于背面光刻工艺的对准方法是由丁新琪;艾佳瑞;焦旺;郑兆祯设计研发完成,并于2019-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于背面光刻工艺的对准方法在说明书摘要公布了:本申请提供一种用于晶圆背面光刻工艺的对准方法,该对准方法包括:对晶圆进行切割,并将切割所形成的至少两条棱边作为第一对准标识;将晶圆的正面与垫片粘合,形成复合晶圆;将第一对准标识与光罩上相应的第二对准标识进行对准以用于背面光刻。该方法不仅不受晶圆厚度及材料的限制,且降低了光刻设备的二次投入;同时能够减少光刻过程中薄晶圆出现碎片的概率,有效提高了产品的合格率。
本发明授权用于背面光刻工艺的对准方法在权利要求书中公布了:1.一种用于晶圆背面光刻工艺的对准方法,其特征在于,包括: 对晶圆进行切割,并将切割所形成的至少两条棱边作为第一对准标识; 将所述晶圆的正面与垫片粘合,形成复合晶圆; 将所述复合晶圆上的所述第一对准标识与光罩上相应的第二对准标识进行对准以用于背面光刻; 所述对晶圆进行切割,并将切割所形成的至少两条棱边作为第一对准标识,具体包括: 提供晶圆; 在所述晶圆刻有图形的一侧表面设置至少两条预设切割线; 沿着所述预设切割线进行切割,并将切割所形成的至少两条棱边作为第一对准标识; 所述在所述晶圆刻有图形的一侧表面设置至少两条预设切割线,具体包括: 获取若干距离参考值,所述距离参考值为所述光罩上图形的第一预设位置至所述第二对准标识的垂直距离值; 以第二预设位置为起点,根据若干所述距离参考值确定所述晶圆上的若干切割点,然后连接若干所述切割点以形成至少两条预设切割线;其中,所述第二预设位置为所述晶圆上的图形与所述第一预设位置相对应的位置。
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