意法半导体股份有限公司S·拉斯库纳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利制造UV辐射检测器器件的方法以及UV辐射检测器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110693664.0，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权制造UV辐射检测器器件的方法以及UV辐射检测器器件是由S·拉斯库纳;G·贝洛基;P·巴达拉;I·克鲁皮设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造UV辐射检测器器件的方法以及UV辐射检测器器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及制造UV辐射检测器器件的方法以及UV辐射检测器器件。用于检测UV辐射的器件，包括：具有N掺杂的SiC衬底；具有N掺杂的SiC漂移层，SiC漂移层在衬底之上延伸；阴极端子；以及阳极端子。阳极端子包括：具有P掺杂的掺杂阳极区，掺杂阳极区在漂移层中延伸；以及包括一个或多个富碳层，特别是石墨烯和或石墨层的欧姆触点区，欧姆触点区在掺杂阳极区中延伸。欧姆触点区对于待检测的UV辐射透明。
本发明授权制造UV辐射检测器器件的方法以及UV辐射检测器器件在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 通过以下方式来制造用于检测UV辐射的检测器器件： 在具有第一导电性和掺杂物质的第一浓度的碳化硅SiC衬底的前侧上，形成具有所述第一导电性和掺杂物质的第二浓度的SiC的漂移层，掺杂物质的所述第二浓度低于所述第一浓度； 在所述衬底的背侧上形成所述检测器器件的阴极端子；以及 在所述漂移层中形成所述检测器器件的阳极端子，形成所述阳极端子包括： 通过在所述漂移层中注入具有与所述第一导电性相反的第二导电性的掺杂物质来形成掺杂阳极区；以及 利用激光在所述掺杂阳极区中形成包括一个或多个富碳层的第一欧姆触点区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体股份有限公司，其通讯地址为：意大利阿格拉布里安扎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励