意法半导体股份有限公司G·罗朱迪切获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利用于磨损均衡的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113918480B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110773213.8，技术领域涉及：G06F12/02；该发明授权用于磨损均衡的方法和设备是由G·罗朱迪切;G·马特兰盖;R·R·格拉索;A·J·迪马蒂诺设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于磨损均衡的方法和设备在说明书摘要公布了：本发明涉及用于磨损均衡的方法和设备。本公开的各实施例涉及一种操作非易失性存储器的方法，该方法包括具有第一组非易失性存储器单元和第二组非易失性存储器单元。第一组非易失性存储器单元和第二组非易失性存储器单元与主机地址相关联。确定用于擦除第一和第二组非易失性存储器单元的电压水平。第一和第二组非易失性存储器单元与主机地址解除关联。并且，第一组非易失性存储器单元基于有效擦除非易失性存储器单元的电压水平来与另一地址相关联。
本发明授权用于磨损均衡的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种操作非易失性存储器的方法，所述方法包括： 具有所述非易失性存储器，所述非易失性存储器包括第一组非易失性存储器单元和第二组非易失性存储器单元，所述第一组非易失性存储器单元与第一主机地址相关联，并且所述第二组非易失性存储器单元与第二主机地址相关联； 确定有效擦除所述第一组非易失性存储器单元的第一电压水平； 确定有效擦除所述第二组非易失性存储器单元的第二电压水平； 将所述第一组非易失性存储器单元与所述第一主机地址解除关联； 将所述第二组非易失性存储器单元与所述第二主机地址解除关联； 基于有效擦除所述第一组非易失性存储器单元的所述第一电压水平，将所述第一组非易失性存储器单元与所述第二主机地址相关联； 确定有效擦除所述第一组非易失性存储器单元的新电压水平；以及 使用所述新电压水平作为初始电压脉冲，用于对所述第一组非易失性存储器单元执行未来的擦除操作。
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