复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司丁士进获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利二极管型光电传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050219B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111398396.6，技术领域涉及：H10K85/50；该发明授权二极管型光电传感器及其制备方法是由丁士进;张婷婷;吴小晗;张卫设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本二极管型光电传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种二极管型光电传感器，包括基底、钙钛矿薄膜层、有机物半导体层和电极；所述钙钛矿薄膜层设置于所述基底的部分上表面，所述钙钛矿薄膜层采用化学气相蒸镀法制备而成，且所述钙钛矿薄膜层的材料包括卤化铅和卤化铯，所述卤化铅和卤化铯的摩尔比为1:1；所述有机物半导体层的部分设置于所述基底的上表面，所述有机物半导体层的剩余部分设置于所述钙钛矿薄膜层的上表面；所述电极包括正极和负极，使得解决了现有技术中的二极管型光电传感器制备工艺复杂且容易漏电，暗电流较大，只能实现对光的强度检测而不能获得光的颜色信息的问题。本发明还提供一种二极管型光电传感器的制备方法。
本发明授权二极管型光电传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二极管型光电传感器，其特征在于，包括： HBr-APTES单分子层处理的基底； 钙钛矿薄膜层，设置于所述基底的部分上表面，所述钙钛矿薄膜层采用化学气相蒸镀法制备而成，且所述钙钛矿薄膜层的材料包括卤化铅和卤化铯，所述卤化铅和卤化铯的摩尔比为1:1；所述钙钛矿薄膜层包括第一钙钛矿薄膜层和第二钙钛矿薄膜层，且所述第一钙钛矿薄膜层与所述第二钙钛矿薄膜层通过部分有机物半导体层分隔设置于所述基底的部分上表面，正极设置于所述第一钙钛矿薄膜层的上表面和所述第二钙钛矿薄膜层的上表面中的任意一种，负极设置于所述第一钙钛矿薄膜层的上表面和所述第二钙钛矿薄膜层的上表面中的另一种； 有机物半导体层，部分设置于所述基底的部分上表面，所述有机物半导体层的剩余部分设置于所述钙钛矿薄膜层的部分上表面；以及 电极，包括正极和负极； 其中，所述卤化铅选自氯化铅、溴化铅和碘化铅中的任意一种，所述卤化铯选自氯化铯、溴化铯和碘化铯中的任意一种。
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