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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利掩膜版图修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114200766B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010912169.X，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权掩膜版图修正方法是由贺婷;王杰;覃柳莎;王占雨;张迎春设计研发完成，并于2020-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜版图修正方法在说明书摘要公布了：一种掩膜版图修正方法，包括：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括沿第一方向排布的若干初始第一目标图形和若干第二目标图形，并且在第二方向上，所述第二目标图形的长度小于初始第一目标图形的长度，所述第一方向和第二方向相互垂直；在所述初始目标版图中获取若干待处理图形、以及与每个待处理图形对应的若干参考图形，所述待处理图形为与第二目标图形相邻的初始第一目标图形，所述参考图形为与所述待处理图形相邻的第二目标图形；根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且对应的对应区域；根据与每个参考图形所对应的对应区域，对所述待处理图形进行补偿处理，获取目标版图。从而，能够有效提升形成的半导体结构的性能。

本发明授权掩膜版图修正方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜版图修正方法，其特征在于，包括： 提供初始目标版图，所述初始目标版图包括沿第一方向排布的若干初始第一目标图形和若干第二目标图形，并且在第二方向上，所述第二目标图形的长度小于初始第一目标图形的长度，所述第一方向和第二方向相互垂直； 在所述初始目标版图中获取若干待处理图形、以及与每个待处理图形对应的若干参考图形，所述待处理图形为与第二目标图形相邻的初始第一目标图形，所述参考图形为与所述待处理图形相邻的第二目标图形； 根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且对应的对应区域； 根据与每个参考图形所对应的对应区域，对所述待处理图形进行补偿处理，获取目标版图； 其中，根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且与所述参考图形对应的对应区域的方法包括：对所述待处理图形进行区域划分，获取m个相邻的初始区域，m为大于或等于1的自然数；提供n个预设范围，且不同的预设范围之间不重合，n为大于或等于1的自然数；获取第k个初始区域相对于任一参考图形的定位参数Lk；当所述定位参数Lk在第i个预设范围内时，所述第k个初始区域为所述参考图形对应的第i对应区域的至少一部分，k和i均为自然数，且1≤k≤m，1≤i≤n。

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