复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司丁荣正获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203704B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111525682.4，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器是由丁荣正;俞少峰;朱小娜;朱宝;尹睿设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一共栅互补场效应晶体管、传输单元和第二共栅互补场效应晶体管，所述传输单元包括堆叠设置的第一传输管和第二传输管，所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道方向、所述传输管单元的沟道方向和所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向均平行于所述第一方向，堆叠设置的第一传输管和第二传输管，能够极大减少单个第一传输管和单个第二传输管所占面积，极大的降低了所占用的面积，提高了电路集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。
本发明授权静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一共栅互补场效应晶体管、传输单元和第二共栅互补场效应晶体管，所述传输单元包括堆叠设置的第一传输管和第二传输管，所述第一传输管和所述第二传输管的排列方向与所述第一方向垂直；所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道方向、所述传输单元的沟道方向和所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向均平行于所述第一方向； 所述第一共栅互补场效应晶体管包括堆叠设置的第一N型场效应晶体管和第一P型场效应晶体管，所述第二共栅互补场效应晶体管包括堆叠设置的第二N型场效应晶体管和第二P型场效应晶体管。
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