铠侠股份有限公司石月惠获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110256134.X，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体存储装置是由石月惠设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体存储装置具备：积层体，将多个导电层在第1方向上相互隔开积层而成，具有包含多个上升部及多个阶台部的阶梯状端部，且包含最上层的导电层在内的连续的多层第1导电层作为对于NAND串的选择栅极线发挥功能，位于所述多层第1导电层的下层侧的多层第2导电层作为对于NAND串的字线发挥功能；多个柱结构，分别包含沿所述第1方向在所述积层体内延伸的半导体层；及第1触点，连接于与所述多个上升部中最上方的第1上升部对应设置的所述最上层的导电层，且贯通所述最上层的导电层进而连接于如下第1导电层，所述第1导电层与所述多层第1导电层中所述最上层的导电层邻接，且与位于所述第1上升部的下层侧的第2上升部对应设置。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 积层体，将多个导电层在第1方向上相互隔开积层而成，具有包含多个上升部及多个阶台部的阶梯状端部，包含最上层的导电层在内的连续的多层第1导电层作为对于NAND串的选择栅极线发挥功能，位于所述多层第1导电层的下层侧的多层第2导电层作为对于NAND串的字线发挥功能； 多个柱结构，分别包含沿所述第1方向在所述积层体内延伸的半导体层； 上层绝缘层，覆盖包含所述阶梯状端部的所述积层体上而设置；及 多个触点，分别贯通所述上层绝缘层而分别连接于所述多个导电层；且 所述多个导电层的最上层的导电层以外的所述多个导电层的各个，在连接有所述多个触点中的对应的1个触点的部分的附近厚度增加，形成所述多个阶台部中的1个阶台部； 所述最上层的导电层是：连接有所述多个触点中的对应的其他1个触点的部分的附近的厚度，比厚度增加的所述1个阶台部的厚度薄。
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