株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社河野洋志获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203816B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110197947.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由河野洋志设计研发完成，并于2021-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有第一面和与第一面对置的第二面；第一面侧的第一电极；第二面的第二电极；第一面的栅极电极；第一面侧的电极焊盘；第一面侧的与栅极电极电连接的配线层；第一面侧的与电极焊盘及配线层电连接的第一多晶硅层；以及绝缘层，设置于第一多晶硅层和电极焊盘之间、以及第一多晶硅层和配线层之间，具有第一开口部和第二开口部，电极焊盘和第一多晶硅层经由第一开口部之中电连接，配线层和第一多晶硅层经由第二开口部之中电连接，第一开口部的第一开口面积大于第二开口部的第二开口面积。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 半导体层，具有第一面和与所述第一面对置的第二面； 第一电极，设置于所述半导体层的所述第一面侧； 第二电极，设置于所述半导体层的所述第二面侧； 栅极电极，设置于所述半导体层的所述第一面侧； 电极焊盘，设置于所述半导体层的所述第一面侧； 配线层，设置于所述半导体层的所述第一面侧，与所述栅极电极电连接； 第一多晶硅层，设置于所述半导体层的所述第一面侧，与所述电极焊盘及所述配线层电连接，沿与所述第一面平行的第一方向延伸；以及 绝缘层，设置于所述第一多晶硅层和所述电极焊盘之间以及所述第一多晶硅层和所述配线层之间，具有至少一个的第一开口部和至少一个的第二开口部， 所述电极焊盘和所述第一多晶硅层经由所述至少一个的第一开口部之中电连接， 所述配线层和所述第一多晶硅层经由所述至少一个的第二开口部之中电连接， 所述至少一个的第一开口部的第一开口面积大于所述至少一个的第二开口部的第二开口面积， 所述电极焊盘的面积大于所述配线层的面积。
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