科磊股份有限公司俊青·珍妮·黄获国家专利权
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龙图腾网获悉科磊股份有限公司申请的专利用于DRAM及3D NAND装置的设计辅助检验获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114223017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080056478.X，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权用于DRAM及3D NAND装置的设计辅助检验是由俊青·珍妮·黄;李胡成;S·S·帕克;李晓春设计研发完成，并于2020-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于DRAM及3D NAND装置的设计辅助检验在说明书摘要公布了：运用用于DRAM及3DNAND检验的所公开系统及方法，基于检验工具的输出接收晶片的图像。接收所述晶片上的多个存储器装置的设计的几何测量。基于所述几何测量确定具有更高检验灵敏度的关注区域。
本发明授权用于DRAM及3D NAND装置的设计辅助检验在权利要求书中公布了：1.一种用于检验半导体装置的系统，其包括： 检验工具，其包含： 能量源，其经配置以生成引导到晶片的能量；及 检测器，其经配置以检测来自所述晶片的能量且响应于所检测的所述能量生成输出；及 处理器，其与所述检验工具电子通信，其中所述处理器经配置以： 基于所述输出接收所述晶片的图像； 接收所述晶片上的多个存储器装置的设计的几何测量，其中所述设计的所述几何测量在所述晶片上的装置的设计数据中提供，且其中所述存储器装置中的每一者是DRAM单元；及 基于所述几何测量确定具有更高检验灵敏度的关注区域； 将所述关注区域应用于所述存储器装置； 在X方向上扩展工作规模以涵盖至少两个阵列单元； 确定覆盖分页且识别单元边界的子扫描带；及 针对不具有外围相交处的另一子扫描带确定所述单元边界的图案设计对准失真及位置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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