朗姆研究公司道格拉斯·沃尔特·阿格纽获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利原子层沉积期间的膜特性的原位控制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114245832B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080055513.6，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权原子层沉积期间的膜特性的原位控制是由道格拉斯·沃尔特·阿格纽;约瑟夫·R·阿贝尔;伊恩·约翰·科廷;普鲁肖塔姆·库马尔;阿维尼什·古普塔设计研发完成，并于2020-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本原子层沉积期间的膜特性的原位控制在说明书摘要公布了：本发明提供了使用原位间歇等离子体处理在原子层沉积期间提供对膜特性的控制的方法。所述方法包含在间歇等离子体处理期间对用于产生等离子体的气体流率比率进行调节，切换等离子体功率，以及调节室压强。
本发明授权原子层沉积期间的膜特性的原位控制在权利要求书中公布了：1.一种用于处理衬底的方法，所述方法包含： 提供半导体衬底至反应室； 执行原子层沉积的循环以沉积膜，每一循环包含： 引导呈气相的第一反应物进入所述反应室，以将所述第一反应物吸附至所述半导体衬底的表面上； 引导呈气相的第二反应物配料进入所述反应室达配料时间；以及 当呈气相的所述第二反应物在所述反应室中时，在所述反应室中产生第一等离子体；以及 每n个循环的所述原子层沉积之后，将所述膜暴露于第二等离子体，所述第二等离子体由流动的氩和第二气体产生， 其中，存在以下任一项： 1所述第二气体选自由氢、氧和其组合所组成的群组，且氩比所述第二气体的流率的比率介于50:1与1:1之间，或 2所述第二气体是一氧化二氮，且氩比所述第二气体的流率的比率介于10:1与20:1之间，并且 其中在将所述膜暴露于所述第二等离子体期间，所述第二等离子体在ON和OFF状态之间脉冲。
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