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龙图腾网获悉无锡先瞳半导体科技有限公司申请的专利屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284342B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111567345.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法是由张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请是关于一种屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述源区由P型源区和N型源区组成，所述P型源区、所述N型源区和所述沟槽区依次沿所述基体区的顶面设置；在以所述衬底区指向所述漂移区的方向上，所述基体区的底面在所述P型源区上的投影面积小于或者等于所述P型源区的底面的面积；所述N型源区与所述沟槽区连接。当发生雪崩击穿时，空穴电流能够从基体区的底面沿最短的直线距离直接注入P型源区，使得空穴的移动路径变短，延缓寄生三极管的开启，提高了屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管的雪崩耐量。

本发明授权屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底区1、漂移区2、基体区3、源区4、沟槽区5、漏极6以及源极7； 所述漂移区2与所述衬底区1相接，以所述衬底区1指向所述漂移区2的方向为上方，所述基体区3和所述源区4依次设置在所述漂移区2的上方； 所述沟槽区5设置在所述基体区3侧方，并分别与所述漂移区2、所述基体区3和所述源区4相接； 所述源区4由P型源区41和N型源区42组成，所述P型源区41、所述N型源区42和所述沟槽区5依次沿所述基体区3的顶面设置；所述N型源区42与所述沟槽区5连接； 在以所述衬底区1指向所述漂移区2的方向上，所述基体区3的底面在所述P型源区41上的投影面积小于或者等于所述P型源区41的底面的面积； 所述沟槽区5包括屏蔽栅51、控制栅52、绝缘层53和金属栅极8； 所述控制栅52和所述屏蔽栅51由上至下依次设置在所述沟槽区5内，且经所述绝缘层53分隔； 所述屏蔽栅51通过所述绝缘层53与所述漂移区2相接； 所述源极7设置在所述源区4上方；所述漏极6设置在所述衬底区1下方；所述金属栅极8设在所述控制栅52上方； 所述基体区3与所述控制栅连接的侧面为体区引流斜面9，所述体区引流斜面9的下端背离所述沟槽区5倾斜设置； 其中，当发生雪崩击穿时，空穴电流能够从基体区3的底面沿最短的直线距离直接注入P型源区41。

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