华为技术有限公司陈东获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556553B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980101338.7，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由陈东;孙捷;曾志雄设计研发完成，并于2019-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括衬底100和电感元件200，在衬底100和电感元件200之间可以形成有屏蔽层300，屏蔽层300用于屏蔽衬底100和电感元件200之间的电耦合，这样可以降低衬底100中的耦合电流，减少电感元件200中的能量损失，提高电感元件200的品质因数，提高半导体器件的性能。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底和电感元件，所述电感元件为键合线； 所述衬底和所述电感元件之间形成有屏蔽层，所述屏蔽层用于屏蔽所述衬底和所述电感元件之间的电耦合； 所述屏蔽层为电容元件，所述电容元件包括第一电容元件和第二电容元件，所述电感元件的一端连接所述第一电容元件的上极板，所述电感元件的另一端连接所述第二电容元件的上极板，所述第一电容元件和所述第二电容元件具有共同的接地的下极板，所述下极板的面积大于所述第一电容元件的上极板的面积，所述下极板的面积大于所述第二电容元件的上极板的面积，所述第一电容元件、所述第二电容元件和所述电感元件构成π型电路。
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