上海大学任开琳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210219208.7，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法是由任开琳;高蒙;张建华;殷录桥;路秀真;郭爱英;王昊天设计研发完成，并于2022-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法，负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管包括：由下至上的衬底、氮化镓沟道层、氮化铝镓势垒层、氧化层、铁电介质层和栅极，栅极为三维鳍式结构，且栅极由上至下覆盖铁电介质层、氧化层、氮化铝镓势垒层和氮化镓沟道层，且氧化层和铁电介质层在栅极覆盖的区域内形成三维鳍式结构；氮化铝镓势垒层的上表面一端设有源极，另一端设有漏极；氧化层和铁电介质层位于源极与漏极之间并连接漏极和源极。本发明采用负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管，利用铁电介质的负电容特性使加到氧化层表面的电压大于栅极电压，在同样的沟道宽度下提供更高的功率放大倍数，提升了氮化镓基功率晶体管的栅控能力。
本发明授权一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管，其特征在于，包括：由下至上依次的衬底、氮化镓沟道层、氮化铝镓势垒层、氧化层、铁电介质层和栅极，所述栅极为三维鳍式结构，所述栅极由上至下覆盖所述铁电介质层、所述氧化层、所述氮化铝镓势垒层和所述氮化镓沟道层，并且所述氧化层和所述铁电介质层在所述栅极覆盖的区域内形成三维鳍式结构； 所述氮化铝镓势垒层的上表面的一端设有源极，另一端设有漏极；所述氧化层和所述铁电介质层位于所述源极与所述漏极之间，并连接所述漏极和所述源极； 所述铁电介质层的材质为BaTiO3、PbZrxTi1-xO3或HfxZr1-xO2。
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