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龙图腾网获悉SKC索密思株式会社申请的专利空白掩模以及利用其的光掩模获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114690539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111651457.5，技术领域涉及：G03F1/26；该发明授权空白掩模以及利用其的光掩模是由李亨周;柳智娟;金圭勋;申仁均;金星润;崔石荣;金修衒;孙晟熏;郑珉交设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本空白掩模以及利用其的光掩模在说明书摘要公布了：本发明涉及一种空白掩摸以及利用其的光掩模。实施例涉及空白掩模等，所述空白掩模包括：透明基板，相移膜，设置在透明基板上，以及遮光膜，设置在所述相移膜上。空白掩模的由以下式1表示的TFT1值为0.25μm100℃以下。利用这种空白掩模等能够容易地制造具有微细线幅的半导体器件。[式1]当在热机械分析仪中分析所述空白掩模的透明基板的厚度被加工成0.6mm，并且所述遮光膜被去除而形成的加工的空白掩模的热波动时，热机械分析仪的测量温度从T1上升至T2，△PM为以T1下的相移膜的上表面为基准，在T2下，相移膜的上表面在厚度方向上的位置变化。

本发明授权空白掩模以及利用其的光掩模在权利要求书中公布了：1.一种空白掩模，其中，包括： 透明基板， 相移膜，设置在所述透明基板上，以及 遮光膜，设置在所述相移膜上； 由以下式1表示的TFT1值为0.25μm100℃以下； [式1] 当在热机械分析仪中分析所述空白掩模的所述透明基板的厚度被加工成0.6mm，并且所述遮光膜被去除而形成的加工的空白掩模的热波动时， 所述热机械分析仪的测量温度从所述T1上升至所述T2， 所述△PM为以所述T1下的所述相移膜的上表面为基准，在所述T2下，所述相移膜的上表面在厚度方向上的位置变化， 当PE1值为1.5eV，PE2值为3.0eV时，根据以下式3的Del_2值为0的点处的光子能量为1.8eV至2.14eV： [式3] 在所述式3中， 从所述空白掩模去除所述遮光膜，应用64.5°的入射角，用椭圆偏振光谱仪对所述相移膜的表面进行测量时，在反射光的P波和S波之间的相位差为180°以下的情况下，所述DPS值是所述P波和所述S波之间的相位差，在反射光的P波和S波之间的相位差大于180°的情况下，所述DPS值是从360°减去所述P波和所述S波之间的相位差而得到的值， 所述PE值是所述PE1值至所述PE2值范围内的入射光的光子能量。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人SKC索密思株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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