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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种P型SiC LDMOS功率器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210436825.2，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权一种P型SiC LDMOS功率器件的制造方法是由张瑜洁;张长沙;何佳设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种P型SiC LDMOS功率器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种P型SiCLDMOS功率器件的制造方法，准备一具有外延层的碳化硅衬底；在外延层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对外延层进行离子注入，形成隔离区；通过重新形成阻挡层、蚀刻、离子注入，分别形成承压区、源区欧姆接触区和漏极欧姆接触区；清除所有的阻挡层，进行氧化或者淀积形成绝缘层；在绝缘层上形成阻挡层，并对阻挡层以及绝缘层蚀刻形成通孔，之后淀积源极金属层以及漏极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层以及绝缘层蚀刻形成通孔，淀积栅极金属层；清除阻挡层，完成制造；降低了器件工作在反向耐压情况下的耐压区的空穴浓度，在不改变器件耐压的情况下，减少器件横向尺寸。

本发明授权一种P型SiC LDMOS功率器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种P型SiCLDMOS功率器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：准备一具有外延层的碳化硅衬底； 步骤2：在外延层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对外延层进行离子注入，形成隔离区； 步骤3：重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对外延层进行离子注入，形成承压区； 步骤4：重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对外延层以及承压区进行离子注入，以形成源区欧姆接触区和漏极欧姆接触区； 步骤5：清除所有的阻挡层，进行氧化或者淀积形成绝缘层； 步骤6：在绝缘层上形成阻挡层，并对阻挡层以及绝缘层蚀刻形成通孔，之后淀积源极金属层以及漏极金属层，源极金属层和漏极金属层的厚度均大于绝缘层的厚度； 步骤7：重新形成阻挡层，并对阻挡层以及绝缘层蚀刻形成通孔，通孔暴露承压区和源极欧姆接触区之间的外延层表面，在外延层上淀积栅极金属层； 步骤8：清除阻挡层，完成制造； 所述外延层连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述外延层上设有源区欧姆接触区；所述隔离区底部连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述隔离区一侧面连接至所述外延层，所述隔离区上设有漏极欧姆接触区；所述承压区底部以及一侧面连接至所述外延层，所述承压区另一侧面连接至所述隔离区；所述漏极金属层连接至所述漏极欧姆接触区；所述源极金属层连接至所述源区欧姆接触区； 所述步骤7与步骤8之间还包括步骤a、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通孔暴露绝缘层表面，在通孔中淀积连接至漏极金属层的漏极金属，并成为突起部，突起部位于隔离区和承压区上方，形成所述突起部与隔离区和承压区的平行板电容器。

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