上海传芯半导体有限公司林岳明获国家专利权
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龙图腾网获悉上海传芯半导体有限公司申请的专利掩模版获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114755898B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210534338.X,技术领域涉及:G03F9/00;该发明授权掩模版是由林岳明;季明华设计研发完成,并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模版在说明书摘要公布了:本申请涉及一种掩模版,包括透明掩模基板、设置于透明掩模基板两侧的第一功能层和第二功能层、及至少两个探测孔,探测孔纵向贯通于透明掩模基板、第一功能层和第二功能层,以获取位置数据的装置的探针穿过,其中,第一功能层为包括第一遮光层和第一光刻胶层,或者为图案层;第二功能层为包括第二遮光层和第二光刻胶层,或者为标记层,标记层包括至少两个对准标记。探针可移动至标记层上获取标对准标记的位置数据,探针可穿过探测孔移动至晶圆上,以准确获取位于晶圆上的基准标记位置数据,易于在光刻时实现晶圆和掩模版的纳米级定位对准,提高光刻套刻时对准的精度,制备得到纳米级对准套刻的图像。
本发明授权掩模版在权利要求书中公布了:1.一种掩模版,其特征在于,包括: 透明掩模基板; 第一功能层,设置于所述透明掩模基板的一侧; 第二功能层,设置于所述透明掩模基板远离所述第一功能层的一侧;及 至少两个探测孔,所述探测孔纵向贯通于所述透明掩模基板、所述第一功能层和第二功能层,以供获取位置数据的装置的探针穿过; 其中,所述第一功能层为包括依次远离所述透明掩模基板设置的第一遮光层和第一光刻胶层,或者所述第一功能层为图案层; 所述第二功能层为标记层,所述标记层包括至少两个用于光刻套刻对准的对准标记; 所述对准标记和所述探测孔具有一一对应关系,所述对准标记靠近和其对应的所述探测孔设置; 所述对准标记与和其对应的所述探测孔之间的距离范围为0.1-1mm。
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