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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利灵敏放大器、存储器以及存储器的工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114822616B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110065296.5，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权灵敏放大器、存储器以及存储器的工作方法是由周永亮;刘明月;张梦迪;王韬设计研发完成，并于2021-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本灵敏放大器、存储器以及存储器的工作方法在说明书摘要公布了：一种灵敏放大器，包括：第一晶体管，第一晶体管的栅极与存储单元的第一位线连接；第二晶体管，第二晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，第二晶体管的源极与第一晶体管的源极连接；第三晶体管，第三晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，第三晶体管的源极与第二晶体管的源极连接，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的阈值电压不同；镜像单元，包括被镜像端、第一镜像端和第二镜像端，被镜像端与第一晶体管的漏极连接，第一镜像端与第二晶体管的漏极连接，第二镜像端与第三晶体管的漏极连接；检测单元，检测单元与镜像单元的第一镜像端以及镜像单元的第二镜像端连接。所述灵敏放大器电路提升了存储器的整体读写速度。

本发明授权灵敏放大器、存储器以及存储器的工作方法在权利要求书中公布了：1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括： 第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与存储单元的第一位线连接； 第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，所述第二晶体管的源极与第一晶体管的源极连接； 第三晶体管，所述第三晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，所述第三晶体管的源极与第二晶体管的源极连接，所述第一晶体管的源极、第二晶体管的源极和第三晶体管的源极与接地电压节点耦接，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的阈值电压不同； 镜像单元，所述镜像单元包括被镜像端、第一镜像端和第二镜像端，所述镜像单元被镜像端包括：第四晶体管，所述第四晶体管的漏极与第一晶体管的漏极连接；所述镜像单元第一镜像端包括：第五晶体管，所述第五晶体管的漏极与第二晶体管的漏极连接；所述镜像单元第二镜像端包括：第六晶体管，所述第六晶体管的漏极与第三晶体管的漏极连接； 检测单元，所述第五晶体管的漏极与检测单元连接，所述第六晶体管的漏极与检测单元连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：300385 天津市西青区经济开发区兴华道19号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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