买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823485B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110089686.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由陈栋;姚达林设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成核心层，所述核心层内具有若干第一开口，所述第一开口暴露出部分待刻蚀层表面；在第一开口内形成牺牲层，所述牺牲层暴露出所述核心层表面，且所述牺牲层表面与核心层表面齐平，所述牺牲层的材料与核心层的材料不同，且所述牺牲层的材料与待刻蚀层表面的材料不同；在牺牲层上和核心层上形成衬垫材料层；在衬垫材料层上形成图形化层，所述图形化层暴露出部分衬垫材料层表面。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀层； 在待刻蚀层上形成核心层，所述核心层内具有若干第一开口，所述第一开口暴露出部分待刻蚀层表面； 在第一开口侧壁形成侧墙； 在第一开口内形成牺牲层，所述牺牲层暴露出所述核心层表面，且所述牺牲层表面与核心层表面齐平，所述牺牲层的材料与核心层的材料不同，且所述牺牲层的材料与待刻蚀层表面的材料不同； 在牺牲层上和核心层上形成衬垫材料层； 在衬垫材料层上形成图形化层，所述图形化层暴露出部分衬垫材料层表面； 以所述图形化层为掩膜刻蚀所述衬垫材料层，直至暴露出部分核心层表面或部分牺牲层表面，形成掩膜结构； 以所述掩膜结构为掩膜刻蚀暴露出的核心层表面或部分牺牲层表面，在核心层内和牺牲层内中的一者或二者内形成第二开口； 在第二开口内形成填充层，所述第二开口位于牺牲层内时，所述填充层沿平行于衬底表面的第一方向贯穿牺牲层，所述第二开口位于核心层内时，所述填充层沿第一方向贯穿位于相邻第一开口之间的核心层，所述填充层与所述侧墙相接触，所述填充层的材料与侧墙的材料相同； 形成填充层之后，去除所述牺牲层； 去除所述牺牲层之后，去除部分核心层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。