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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114846601B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080085890.4，技术领域涉及：H10D80/00；该发明授权半导体装置是由荒井俊介;西畑雅由;平光真二;柿本规行设计研发完成，并于2020-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：以夹着在两面具有主电极的半导体元件的方式配置并与对应的主电极电连接的散热部之一即热沉51，在与发射极端子之间形成焊料接合部。热沉51在发射极端子侧的面上具有高浸润区域151b、以及在板厚方向的平面视图中与高浸润区域151b邻接而设置以规定高浸润区域151b的外周、与高浸润区域151b相比对焊料的浸润性低的低浸润区域151a。高浸润区域151b在平面视图中具有重叠区域151c和与重叠区域151c相连的非重叠区域151d，重叠区域是与发射极端子的焊料接合部的形成区域重叠的区域，在至少一部分中配置有焊料。非重叠区域151d至少包括收容剩余焊料的收容区域151e。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于， 具备： 至少一个半导体元件，在一面以及在板厚方向上与上述一面相反的背面分别具有主电极；以及 布线部件，具有多个导体部和在上述板厚方向上在两个上述导体部之间配置接合材料而形成的至少一个接合部，上述多个导体部包括在上述板厚方向上以夹着上述半导体元件的方式分别配置在上述一面侧及上述背面侧并与对应的上述主电极电连接的至少一组散热部和与上述散热部相连的多个端子部； 在上述接合部的至少一个中，作为上述导体部的一个的第1导体部在与作为上述导体部的另一个的第2导体部对置的一侧的面上具有高浸润区域和与上述高浸润区域相比对上述接合材料的浸润性低的低浸润区域，该低浸润区域在从上述板厚方向观察的平面视图中与上述高浸润区域邻接设置以规定上述高浸润区域的外周； 上述高浸润区域在上述平面视图中具有重叠区域和非重叠区域，上述重叠区域是与上述第2导体部的上述接合部的形成区域重叠的区域、并且在至少一部分中配置有上述接合材料，上述非重叠区域是与上述重叠区域共面地相连、并且不与上述第2导体部的接合部形成区域重叠的区域； 上述非重叠区域至少包括与上述重叠区域共面地相连、对于上述接合部将剩余的上述接合材料收容的收容区域。

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