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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种节流阀、处理腔室及半导体处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114857282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110158760.5，技术领域涉及：F16K1/22；该发明授权一种节流阀、处理腔室及半导体处理设备是由朱宁炳;朴兴雨;李河圣;刘金彪;杨涛;李俊峰;王文武;王垚设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种节流阀、处理腔室及半导体处理设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种节流阀、处理腔室及半导体处理设备，涉及半导体技术领域，用于防止流道内传输的气体与处理腔室内的气体反应而产生的反应物质凝聚在流量调节组件表面以及流道内壁上，提高节流阀的使用寿命。所述节流阀应用于具有处理腔室的半导体处理设备中。所述节流阀包括：阀体、流量调节组件和加热组件。阀体内开设有用向处理腔室传输气体的流道。流量调节组件可转动地设置在阀体内，用于调节气体在流道内的流量。加热组件包括设置在流量调节组件内的加热部，加热部用于对流量调节组件进行加热。

本发明授权一种节流阀、处理腔室及半导体处理设备在权利要求书中公布了：1.一种节流阀，其特征在于，应用于具有处理腔室的半导体处理设备中，所述节流阀包括： 阀体，所述阀体内开设有用于向所述处理腔室传输气体的流道； 流量调节组件，所述流量调节组件可转动地设置在所述阀体内，用于调节所述气体在所述流道内的流量；所述流量调节组件包括旋转轴、以及与所述旋转轴固定连接的阻挡部；其中，沿着所述流道的径向，所述旋转轴贯穿所述阀体；所述阻挡部位于所述流道内，所述阻挡部关于所述旋转轴的中轴线对称；所述阻挡部能够围绕所述旋转轴的中轴线在所述流道内旋转，以调节所述气体在所述流道内的流量； 加热组件，所述加热组件包括设置在所述流量调节组件内的加热部，所述加热部用于对所述流量调节组件进行加热；所述加热部包括加热线、电源端子和连接线；所述加热线设置在所述阻挡部内；所述电源端子设置在所述阻挡部与所述旋转轴的连接处，所述电源端子与所述加热线连接；所述连接线的第一端伸入所述旋转轴内、且与所述电源端子连接；所述电源端子靠近所述旋转轴的第一端；所述旋转轴的第一端内开设有真空导孔，所述真空导孔的中轴线与所述旋转轴的中轴线重合，所述连接线贯穿所述真空导孔与所述电源端子连接；所述真空导孔用于所述旋转轴的第一端内处于真空状态，使得所述连接线在所述旋转轴的第一端内具有一定的活动量； 与所述旋转轴的第二端连接的压强监控组件，所述压强监控组件用于控制所述流量调节组件，以在所述半导体处理设备工作过程中使所述处理腔室内具有的压强等于目标压强； 所述压强监控组件包括： 驱动部，所述驱动部的动力输出端与所述旋转轴的第二端固定连接，用于驱动所述旋转轴，以调整所述阻挡部在所述流道内的转动角度； 压强传感器，所述压强传感器用于测量所述处理腔室内的当前压强； 第二控制部，所述第二控制部分别与所述驱动部和所述压强传感器连接，用于根据所述当前压强控制所述驱动部驱动所述旋转轴转动，以使所述处理腔室内具有的压强等于目标压强。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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