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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种适用于SiC/Si混并器件的电流比例调节方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114900167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210656539.7，技术领域涉及：H03K17/567；该发明授权一种适用于SiC/Si混并器件的电流比例调节方法是由秦海鸿;谢斯璇;韩翔;刘湘;陈志辉;朱春玲;聂新;王逸斌;张震宇;王珑;朱梓悦;戴卫力设计研发完成，并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于SiC/Si混并器件的电流比例调节方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种适用于SiCSi混并器件的电流比例调节方法，通过温度采样电路采样SiCSi混合并联器件中SiCMOSFET与SiIGBT的壳温；将温度采样电路采样得到的器件壳温输入数字控制器；通过数字控制器在线运算得到器件结温后，输出信号以动态调整器件驱动电路的正向驱动电压，实现SiCSi混合并联器件的电流比例的动态调节。驱动电路包括：正向驱动电压线性调节电路，正向驱动电压选择电路，正向驱动电压与负向驱动电压之间的图腾柱结构电路以及驱动电阻。本发明能够实现SiCSi混合并联器件电流比例的动态调整，降低单个器件的电流应力，改善SiCSi混合并联器件的热平衡度，提升其可靠性。

本发明授权一种适用于SiC/Si混并器件的电流比例调节方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于SiCSi混并器件的电流比例调节方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，通过温度采样电路采样SiCSi混合并联器件中SiCMOSFET与SiIGBT的壳温并输入数字控制器；其中，SiCSi混合并联器件包括SiCMOSFET及并联于SiCMOSFET两端的SiIGBT； 步骤2，通过数字控制器在线运算得到器件结温，输出信号以动态调整器件驱动电路的正向驱动电压，实现SiCSi混合并联器件的电流比例的动态调节，其中，数字控制器在线运算流程包括： 步骤2.1，损耗计算：将混合并联器件的开关延迟时间Ton_delay、Toff_delay以及采样电路采样到的壳温、电压、电流信号输入数字控制器，计算损耗Ploss； 1 其中，P表示损耗，下标IGBT、MOS分别代表SiIGBT、SiCMOSFET，D代表SiCSi混并器件的占空比，fsw代表SiCSi混并器件的开关频率，Econd代表导通损耗，Eon代表开通损耗，Eoff代表关断损耗； 步骤2.2，结温计算：根据混合并联器件热网络模型与壳温Tc，计算器件结温Tj； 2 其中，Rthj-c表示器件内部结到表面壳的热阻； 步骤2.3，归一化处理：将器件结温Tj_MOS、Tj_IGBT除以最大可承受结温得到SiCMOSFET归一化结温Tj_MOS*以及SiIGBT的归一化结温Tj_IGBT*； 步骤2.4，比较结温：比较SiCMOSFET与SiIGBT的归一化结温，根据比较关系输出信号以动态调整器件驱动电路的正向驱动电压，实现SiCSi混合并联器件的电流比例的动态调节，动态调整方式为： 当Tj_MOS*＞Tj_IGBT*时，SiCMOSFET的正向驱动电压调整为VDRV_MOS1，SiIGBT的正向驱动电压调整为VDRV_IGBT3； 当Tj_MOS*＜Tj_IGBT*时，SiCMOSFET的正向驱动电压调整为VDRV_MOS3，SiIGBT的正向驱动电压调整为VDRV_IGBT1； 当Tj_MOS*＝Tj_IGBT*时，SiCMOSFET的正向驱动电压调整为VDRV_MOS2，SiIGBT的正向驱动电压调整为VDRV_IGBT2； 其中，SiCMOSFET正向驱动电压的大小关系为VDRV_MOS3＞VDRV_MOS2＞VDRV_MOS1，SiIGBT正向驱动电压的大小关系为VDRV_IGBT3＞VDRV_IGBT2＞VDRV_IGBT1；VDRV_MOS2、VDRV_IGBT2为标准正向驱动电压，其余正向驱动电压VDRV_MOS3、VDRV_IGBT3、VDRV_MOS1、VDRV_IGBT1均小于器件的栅极耐压，且大于器件的开通阈值电压。

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