滇西应用技术大学唐远菊获国家专利权
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龙图腾网获悉滇西应用技术大学申请的专利可低温短时间热交联材料在作为空穴传输材料中的应用、空穴传输层和PhOLED器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210350654.1，技术领域涉及：C07D209/82；该发明授权可低温短时间热交联材料在作为空穴传输材料中的应用、空穴传输层和PhOLED器件是由唐远菊设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本可低温短时间热交联材料在作为空穴传输材料中的应用、空穴传输层和PhOLED器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可低温短时间热交联的材料在作为空穴传输材料中的应用、空穴传输层和PhOLED器件。空穴传输材料可为VBPhCz和或VBTPA。该材料具有较低的交联温度，较短的交联时间和良好的热稳定性，可以在温和的条件下制备具有良好抗溶剂侵蚀能力的空穴传输层，避免长时间高温考验造成的器件老化，同时热交联后所得的空穴传输层具有稳定的光物理性质，所得空穴传输层应用于PhOLED器件中所得器件稳定性好，性能优异；此外还可实现包括发光层在内的多功能层溶液法制备的绿光PhOLED器件，推动了溶液法制备绿光PhOLED器件的工业化进程。
本发明授权可低温短时间热交联材料在作为空穴传输材料中的应用、空穴传输层和PhOLED器件在权利要求书中公布了：1.一种低温短时间热交联材料在作为空穴传输材料方面的应用，其特征在于，所述热交联材料为VBPhCz和或VBTPA；其中： VBPhCz和VBTPA结构式分别如下所示： 。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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