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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种基于1T1R阵列的MRAM灵敏放大器读校准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114974331B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210434973.0，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权一种基于1T1R阵列的MRAM灵敏放大器读校准电路是由陆楠楠;王超设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于1T1R阵列的MRAM灵敏放大器读校准电路在说明书摘要公布了：本发明涉及磁隧道结技术领域，具体涉及一种基于1T1R阵列的MRAM灵敏放大器读校准电路。包括：交叉耦合电路：用于感应输入电压大小，进行放大；逻辑控制电路：产生各种控制信号；Vclamp电压产生电路：用于产生Vclamp_R和Vclamp_L电压；1T1R阵列：存储数据信息；参考阵列：产生读所需要的参考电平；行列译码：以保证选中需要读取的信息位；预放大电路：对小的读电压进行预放大；电压校准模块：左边的电压校准模块由晶体管MN2，MN4和MN7构成，开关S0_0和S0_1控制导通MN7管，S2_0开关控制导通MN4晶体管；右边的电压校准模块由MN3、NM5和MN8构成，开关S1_0和S1_1控制导通MN8管，S2_1控制导通MN8晶体管，保证读取的结果的正确性，进一步的加快读出的速度。

本发明授权一种基于1T1R阵列的MRAM灵敏放大器读校准电路在权利要求书中公布了：1.一种基于1T1R阵列的MRAM灵敏放大器读校准电路，其特征在于，包括： 交叉耦合电路，与电压校准模块相连，用于感应输入电压大小，进行放大； 逻辑控制电路，分别与预放大电路、1T1R阵列和参考阵列相连，产生开关S0_0、开关S0_1、开关S1_0、开关S1_1、开关S2_0和开关S2_1所对应的控制信号，以控制开关的组合方式，使得电压校准模块产生不同的读模式，产生EN信号、SAE信号、L0信号和R0信号，以控制灵敏放大器预充和工作、以及读支路的选择； Vclamp电压产生电路，与电压校准模块相连，用于产生Vclamp_R和Vclamp_L电压； 1T1R阵列，分别与预放大电路和行列译码电路相连，用于存储数据信息； 参考阵列，分别与预放大电路和行列译码电路相连，用于产生读所需要的参考电平； 行列译码电路，以保证选中需要读取的信息位； 预放大电路，与电压校准模块相连，对小的读电压进行预放大； 电压校准模块，左边的电压校准模块由晶体管MN2、晶体管MN4和晶体管MN7构成，开关S0_0和开关S0_1控制导通晶体管MN7，开关S2_0控制导通晶体管MN4；右边的电压校准模块由晶体管MN3、晶体管NM5和晶体管MN8构成，开关S1_0和开关S1_1控制导通晶体管MN8，开关S2_1控制导通晶体管MN5。

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