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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利用于锁相环的电荷泵电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114978158B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210541243.0，技术领域涉及：H03L7/089；该发明授权用于锁相环的电荷泵电路是由左成杰;林建伟;张龙;陈桥巧设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于锁相环的电荷泵电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于锁相环的电荷泵电路，涉及集成电路射频电路技术领域。该装置包括：偏置电路；主电荷泵核心电路，用于产生低失配电流，包括充电支路、开关支路和放电支路，开关支路分别与充电支路和放电支路相连；其中，偏置电路用于分别产生充电支路和放电支路所需的偏置电压；充电支路包括第一运算放大器，并设置有第一节点和第二节点，充电支路用于采用第一运算放大器进行钳位，使第一节点和第二节点的电位相等；放电支路包括第二运算放大器，并设置有第三节点和第四节点，放电支路用于采用第二运算放大器进行钳位，使第三节点和第四节点的电位相等。本发明在保证较小失配电流的同时，增加电荷泵的电压输出范围。

本发明授权用于锁相环的电荷泵电路在权利要求书中公布了：1.一种用于锁相环的电荷泵电路，其特征在于，包括： 偏置电路301，包括：电流源I1、第一电阻R1、第二电阻R2、第五NMOS晶体管MN5、第六NMOS晶体管MN6、第七NMOS晶体管MN7、第八NMOS晶体管MN8、第五PMOS晶体管MP5和第六PMOS晶体管MP6，所述电流源I1、第一电阻R1、第五NMOS晶体管MN5和第七NMOS晶体管MN7依次串接于电源端VDD与接地端GND之间； 主电荷泵核心电路302，用于产生低失配电流，包括充电支路303、开关支路304和放电支路305，所述开关支路304分别与所述充电支路303和放电支路305相连； 其中，所述偏置电路301用于分别产生所述充电支路303和放电支路305所需的偏置电压； 所述充电支路303包括第一运算放大器OP1，并设置有第一节点N1和第二节点N2，所述充电支路303用于采用所述第一运算放大器OP1进行钳位，使所述第一节点N1和第二节点N2的电位相等； 所述放电支路305包括第二运算放大器OP2，并设置有第三节点N3和第四节点N4，所述放电支路305用于采用所述第二运算放大器OP2进行钳位，使所述第三节点N3和第四节点N4的电位相等； 其中，所述充电支路303还包括第一PMOS晶体管MP1、第二PMOS晶体管MP2、第三PMOS晶体管MP3和第四PMOS晶体管MP4，其中： 所述第一PMOS晶体管MP1串接于所述电源端VDD与所述第一运算放大器OP1的正向输入端之间，所述第二PMOS晶体管MP2串接于所述电源端VDD与所述第一运算放大器OP1的反向输入端之间，所述第一PMOS晶体管MP1栅极、所述第二PMOS晶体管MP2栅极共同连接至所述偏置电路301的第五PMOS晶体管MP5栅极； 所述第三PMOS晶体管MP3串接于所述第一运算放大器OP1的正向输入端与所述放电支路305之间，所述第三PMOS晶体管MP3栅极与所述偏置电路301的第六PMOS晶体管MP6栅极相连； 所述第四PMOS晶体管MP4串接于所述第一运算放大器OP1的反向输入端与所述开关支路304之间，所述第四PMOS晶体管MP4栅极与所述第一运算放大器OP1的输出端相连； 所述第一节点N1和第二节点N2分别设置于所述第一运算放大器OP1的正向输入端和反向输入端。

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