中国科学院上海微系统与信息技术研究所周夕淋获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210551303.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法是由周夕淋;朱栩旭;宋志棠;宋三年设计研发完成，并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法。该变存储材料包括范德华结构缓冲层以及过渡金属层与相变材料层交替堆叠组成的超晶格相变存储层。该相变存储器包括底电极层、界面相变存储材料、顶电极层。本发明通过在相变材料中嵌入原子级厚度的过渡金属界面材料的方式改善材料的存储性能。该相变存储器具有快速、低功耗的擦写特性，稳定的多级电阻态以及较好的疲劳特性，有望应用于神经形态器件及高密度存储领域。
本发明授权一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种界面相变存储材料,其特征在于，包括范德华结构缓冲层以及过渡金属层与相变材料层交替堆叠组成的超晶格相变存储层，所述超晶格相变存储层位于所述德华结构缓冲层上； 所述过渡金属层采用的过渡金属元素为Mo，所述相变材料层采用的硫系化合物材料为Sb2Te3。
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