株式会社日立高新技术备前大辅获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利带电粒子束装置以及粗糙度指标计算方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115023584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080094772.X,技术领域涉及:G01B15/04;该发明授权带电粒子束装置以及粗糙度指标计算方法是由备前大辅;酒井计;角田纯一;白井真纯;山崎实设计研发完成,并于2020-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本带电粒子束装置以及粗糙度指标计算方法在说明书摘要公布了:实现校正了机差的粗糙度测量。因此,使用表示粗糙度指标计算中的基准机对预先形成于机差管理用晶片上的线图案测量出的线图案的功率谱密度的第一PSD数据和表示校正对象机对形成于机差管理用晶片上的线图案测量出的线图案的功率谱密度的第二PSD数据,求出将第二PSD数据的功率谱密度校正为第一PSD数据的功率谱密度的校正方法,根据形成于测量对象晶片上的线图案的扫描像,测量形成于测量对象晶片上的线图案的功率谱密度而作为第三PSD数据,计算通过求出的校正方法校正第三PSD数据的功率谱密度后的校正功率谱密度。
本发明授权带电粒子束装置以及粗糙度指标计算方法在权利要求书中公布了:1.一种带电粒子束装置,其特征在于,具有: 带电粒子束光学系统,其对形成于试样上的线图案二维地扫描带电粒子束; 检测器,其检测因照射所述带电粒子束而从所述试样释放的电子; 图像处理部,其根据从所述检测器检测出的信号得到的扫描像,计算形成于所述试样上的线图案的粗糙度指标;以及 功率谱密度输入部,其输入第一PSD数据,该第一PSD数据表示被作为所述粗糙度指标计算中的机差管理的基准的基准带电粒子束装置对预先形成于第一晶片上的线图案测量出的线图案的功率谱密度, 所述图像处理部进行如下处理: 根据形成于所述第一晶片上的线图案的扫描像,测量形成于所述第一晶片上的线图案的功率谱密度作为第二PSD数据,求出将所述第二PSD数据的功率谱密度校正为所述第一PSD数据的功率谱密度的校正方法; 根据形成于第二晶片上的线图案的扫描像,测量形成于所述第二晶片上的线图案的功率谱密度作为第三PSD数据,计算通过所述校正方法校正了所述第三PSD数据的功率谱密度的校正功率谱密度;以及 使用所述校正功率谱密度来计算形成于所述第二晶片上的线图案的粗糙度指标。
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