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龙图腾网获悉上海恩阶电子科技有限公司申请的专利一种可提高flash存储单元使用寿命的数据存储及读取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132260B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210802144.3，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权一种可提高flash存储单元使用寿命的数据存储及读取方法是由余忠宇;黄斌;魏琪;周健设计研发完成，并于2022-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可提高flash存储单元使用寿命的数据存储及读取方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可提高flash存储单元使用寿命的数据存储及读取方法，存储方法包括：设置数据在flash内的起始存储地址，起始存储地址有两个并分别对应分属两个扇区的两个存储单元，两个存储单元用于按照预设顺序分别存储数据的高位字符和低位字符；判断高位字符是否发生变化，是则同时擦写两个扇区，否则只擦写与低位字符相对应的扇区，并记录擦写次数；判断擦写次数是否达到最大计数值，是则将数据清零并将后续接收到的数据的高位字符和低位字符按照相反顺序分别存储在两个所述存储单元中，并在擦写次数再次达到最大计数值后将数据清零，同时启用后续的另两个存储单元，否则继续执行上一步。本发明能够均衡各存储单元的擦写次数，提高flash使用寿命。

本发明授权一种可提高flash存储单元使用寿命的数据存储及读取方法在权利要求书中公布了：1.一种可提高flash存储单元使用寿命的数据存储方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤： S1、设置数据在flash内的起始存储地址，所述起始存储地址有两个并分别对应分属两个扇区的两个存储单元，两个所述存储单元用于按照预设顺序分别存储数据的高位字符和低位字符； S2、对于新接收到的数据，判断其高位字符是否发生变化，是则同时擦写两个所述存储单元及扇区，否则只擦写与低位字符相对应的所述存储单元及扇区，并记录用于存储低位字符的所述存储单元及扇区的擦写次数； S3、判断所述擦写次数是否达到两个所述存储单元的最大计数值，是则将所述数据清零并将后续接收到的数据的高位字符和低位字符按照相反顺序分别存储在两个所述存储单元中，否则继续执行S2； S4、对于后续接收到的数据，判断其高位字符是否发生变化，是则同时擦写两个所述存储单元及扇区，否则只擦写与低位字符相对应的所述存储单元及扇区，并记录用于存储低位字符的所述存储单元及扇区的擦写次数； S5、判断所述擦写次数是否再次达到两个所述存储单元的最大计数值，是则将数据清零，并启用位于两个所述起始存储地址之后的另两个存储单元来保存再后接收到的数据，并重复执行S2，否则继续执行S4。

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