北京科技大学齐俊杰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种MoS2/TaS2复合材料的合成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115161663B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210816912.0，技术领域涉及：C25B1/04；该发明授权一种MoS2/TaS2复合材料的合成方法是由齐俊杰;张志恒;张硕研;李猷;王骏琦;杨启超设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MoS2/TaS2复合材料的合成方法在说明书摘要公布了：一种MoS2TaS2复合材料的合成方法，属于纳米材料技术领域。先将钼源和硫源溶于去离子水中，形成溶液；再向溶液中加入TaS2纳米片和NMP溶液，超声后得到混合物，再向混合物中加入碳布电极，使碳布电极浸入混合物中，再将混合物和碳布电极转移到反应釜中，再将密封的反应釜放入鼓风干燥箱中，进行水热反应，反应釜冷却后，取出碳布电极，得到生长有MoS2TaS2复合材料的碳布电极。通过该合成方法制备的MoS2TaS2复合材料成本低、导电性好，能有效的降低电化学反应中电荷转移电阻，且还具有优异的电荷载流子迁移率，以及较低的塔菲尔斜率，将其应用作为电催化剂时，存在更多的促进电荷传输的界面，增加了活性位点的比表面积，表现出优异的电催化性能，提高析氢的效率。
本发明授权一种MoS2/TaS2复合材料的合成方法在权利要求书中公布了：1.一种MoS2TaS2复合材料的合成方法，其特征在于，包括： 步骤S1、将钼源和硫源溶于去离子水中，形成溶液； 步骤S2、向所述溶液中加入TaS2纳米片，超声混合后得到混合物； 步骤S3、向所述混合物中加入碳布电极，使碳布电极浸入所述混合物中； 步骤S4、将所述混合物和碳布电极转移到反应釜中； 步骤S5、将密封的反应釜放入鼓风干燥箱中，进行水热反应； 步骤S6、所述反应釜冷却后，取出所述碳布电极，得到生长有MoS2TaS2复合材料的碳布电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京科技大学，其通讯地址为：100083 北京市海淀区学院路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励