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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利MOS器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210903863.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权MOS器件的制作方法是由颜树范;刘须电设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOS器件的制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MOS器件的制作方法，包括：提供一衬底，该衬底包括元胞区域和终端区域，元胞区域的衬底中形成有第一沟槽，终端区域的衬底中形成第二沟槽，衬底、第一沟槽和第二沟槽表面形成有第一介质层，第一沟槽内形成有第一屏蔽栅，第二沟槽内形成有第二屏蔽栅；形成第二介质层，第二介质层填满第一沟槽但不填满第二沟槽，第二介质层为保形介质层；去除除目标区域以外其它区域的第一介质层和第二介质层，目标区域包括第二沟槽的侧壁以及第一沟槽中第一屏蔽栅的上方区域；在第一沟槽的侧壁形成第三介质层；在第一沟槽和第二沟槽中填充多晶硅层，第一沟槽中的多晶硅层构成MOS器件的栅极，第二沟槽中的多晶硅层构成终端结构的栅极。

本发明授权MOS器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，从俯视角度观察，所述衬底包括元胞区域和终端区域，所述元胞区域用于集成MOS器件，所述终端区域用于集成终端结构，所述元胞区域的衬底中形成有第一沟槽，所述终端区域的衬底中形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度，所述衬底、所述第一沟槽和所述第二沟槽表面形成有第一介质层，所述第一沟槽内形成有第一屏蔽栅，所述第二沟槽内形成有第二屏蔽栅，所述第一屏蔽栅的顶部低于所述第一沟槽的开口，所述第二屏蔽栅的顶部低于所述第二沟槽的开口； 形成第二介质层，所述第二介质层填满所述第一沟槽但不填满所述第二沟槽，所述第二介质层为保形介质层； 去除除目标区域以外其它区域的第一介质层和第二介质层，所述目标区域包括所述第二沟槽的侧壁，所述第二沟槽中第二屏蔽栅的上方区域以及所述第一沟槽中所述第一屏蔽栅的上方区域； 在所述第一沟槽的侧壁形成第三介质层； 在所述第一沟槽和所述第二沟槽中填充多晶硅层，所述第一沟槽中的多晶硅层构成第一栅极，所述第一栅极是所述MOS器件的栅极，所述第二沟槽中的多晶硅层构成第二栅极，所述第二栅极是所述终端结构的栅极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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