芯恩(青岛)集成电路有限公司刘聪慧获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种沟槽栅极结构器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110361602.X，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种沟槽栅极结构器件及其制作方法是由刘聪慧;李鹏;季明华设计研发完成，并于2021-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽栅极结构器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种沟槽结构器件及其制作方法，器件包括：衬底，具有第一导电性，具有相对设置的第一主面与第二主面；漂移区，形成于衬底的第一主面，漂移区具有第一导电性，漂移区的载流子浓度低于衬底；阱区，形成于漂移区上，阱区具有与所述第一导电性相反的第二导电性；沟槽栅极，穿过所述阱区达到所述漂移区沟槽栅极两侧底角具有向外展宽的缺口形状，缺口形状的内角小于90°；重掺杂区，形成于阱区中并位于沟槽栅极的侧缘，重掺杂区具有第一导电性；重掺杂区上设置有电极，电极与所述重掺杂区接触并在所述阱区中至少部分地延伸。本发明工艺简单，可提供更好的VDMOS和IGBT击穿电压，同时兼顾开态电阻和氧化物的可靠性。
本发明授权一种沟槽栅极结构器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅极结构器件，其特征在于，所述沟槽栅极结构器件至少包括： 衬底，所述衬底具有第一导电性，所述衬底具有相对设置的第一主面与第二主面； 漂移区，形成于所述衬底的第一主面，所述漂移区具有第一导电性，所述漂移区的载流子浓度低于所述衬底； 阱区，形成于所述漂移区上，所述阱区具有与所述第一导电性相反的第二导电性； 沟槽栅极，所述沟槽栅极穿过所述阱区达到所述漂移区，所述沟槽栅极两侧底角具有向外展宽的缺口形状，所述缺口形状与所述沟槽栅极的侧壁的连接处具有拐角，所述缺口形状的内角在20～70°之间； 重掺杂区，形成于所述阱区中并位于所述沟槽栅极的侧缘，所述重掺杂区具有第一导电性； 所述重掺杂区上设置有电极，所述电极与所述重掺杂区接触并在所述阱区中至少部分地延伸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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