亚德诺半导体国际无限责任公司J·施密特获国家专利权
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龙图腾网获悉亚德诺半导体国际无限责任公司申请的专利磁传感器系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115201725B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210378203.9,技术领域涉及:G01R33/09;该发明授权磁传感器系统是由J·施密特;A·里查德;M·米勒-奥尔曼设计研发完成,并于2022-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁传感器系统在说明书摘要公布了:本发明提供一种磁传感器系统,包括安装在可旋转轴端部的磁体、包括磁多匝传感器的磁感应装置、以及用于将磁多匝传感器初始化为已知状态以备使用的机构。当磁感应装置用于监测轴的旋转时,磁体位于距磁感应装置第一距离的起始位置,使得磁感应装置感受到的磁场强度在磁多匝传感器的操作窗口内,操作窗口由最小磁通密度Bmin和最大磁通密度Bmax定义。该机构包括这样的构件,用于将磁体和轴沿轴向朝着磁感应装置移动,以使磁感应装置所感受的磁场超过操作窗口的上限Bmax。这会导致磁畴壁成核,从而使传感器螺旋充满磁畴壁,从而将所有磁阻元件磁化到相同的状态。初始化完成后,该机构被配置为将磁体返回其初始位置,以备使用。在这方面,该机构可具有偏压装置,例如弹簧,其将磁体偏压至起始位置。
本发明授权磁传感器系统在权利要求书中公布了:1.磁传感器系统,包括: 磁感应装置,所述磁感应装置至少包括磁多匝传感器,其中所述磁多匝传感器包括多个磁阻感应元件; 安装在可旋转轴上的磁体,所述磁体被定位在距离所述磁感应装置第一距离处,使得所述磁多匝传感器可操作以测量由所述磁体产生的磁场的匝数;和 初始化机构,被配置为在轴向上将所述磁体和所述可旋转轴朝着所述磁感应装置移动而不需要所述可旋转轴的旋转,使得当所述磁体与所述磁感应装置处于第二距离时,由所述磁体产生的磁场在所述多个磁阻元件中产生磁畴壁。
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