台湾积体电路制造股份有限公司廖啟宏获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利减少氢气渗透的装置与半导体元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115202156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110914793.8，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权减少氢气渗透的装置与半导体元件的制造方法是由廖啟宏;施柏铭设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本减少氢气渗透的装置与半导体元件的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种减少氢气渗透的装置与半导体元件的制造方法，此装置用以在产生极紫外光EUV辐射时，减少罩幕的氢渗透。此装置包含罩幕平台配置以支承罩幕、氢气分配喷嘴配置以在罩幕下方喷出氢气、及轨迹校正组件。轨迹校正组件包含校正喷嘴及气流侦测器。校正喷嘴配置以分配至少一种整流气体，以调整氢气的轨迹远离罩幕，借以减少在罩幕边缘的氢气渗透。气体流动侦测器配置以测量由至少一种整流气体所调整的氢气的气流变化。
本发明授权减少氢气渗透的装置与半导体元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种减少氢气渗透的装置，适用于一极紫外光罩幕，其特征在于，该装置包含： 一罩幕平台，配置以支承该极紫外光罩幕； 一氢气分配喷嘴，配置以在该极紫外光罩幕下方喷出一氢气；以及 一轨迹校正组件，包含一校正喷嘴设于该罩幕平台与该氢气分配喷嘴之间， 其中该校正喷嘴配置以分配不同于该氢气的至少一种整流气体，以通过接触该氢气的一流动来调整该氢气的一轨迹远离该极紫外光罩幕，借以减少对该极紫外光罩幕的氢气渗透。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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